32FLASH闪存

目录

一．FLASH简介

二．代码实现

（1）读写内部FLASH

（2）读取芯片ID

一．FLASH简介

存储器地址要记得累

系统存储器是原厂写入的Bootloader程序（用于串口下载），是不允许修改的

闪存存储器接口是外设，用于管理FLASH

OTA，程序升级

IAP：自定义一个Bootloader在FLASH中，当需要更新程序时，就从程序代码跳转到Bootloader，接收程序更新数据然后覆盖原程序，重新再跳回到原程序

整个升级过程，都可以自主完成

 

 整块擦除，信息块的内容不受影响

FPEC会自动计算反码

 

 在编程过程中，任何读写闪存的操作都会使CPU暂停，会导致中断函数执行的暂停

当闪存保护选项由“保护”变为“未保护”时，会自动执行整片擦除

二．代码实现

void FLASH_Unlock(void);／／解锁
void FLASH_Lock(void);／／加锁

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);／／擦除某一页，返回状态
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);／／全擦除
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);／／擦除选项字节
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
／／选项字节的写入
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);自定义的Ｄａｔａ０和１
FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);写保护
FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);读保护
FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);用户选项的配置位

操作返回的状态
typedef enum
{ 
  FLASH_BUSY = 1,忙
  FLASH_ERROR_PG,编程错误
  FLASH_ERROR_WRP,写保护错误
  FLASH_COMPLETE,
  FLASH_TIMEOUT等待超时
}FLASH_Status;

uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);／／获取用户选项的３个配置位
uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);／／获取写保护状态
FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);／／获取读保护状态
FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);／／获取预取缓冲区状态
void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);
FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);
void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);／／获取状态
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);／／等待上一次操作，等待BUSY为０

（1）读写内部FLASH

MyFLASH.c

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
uint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint32_t *)(Address));//这里的括号逻辑要规范
}
uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address)//在32中地址永远是32位的
{
	return *((__IO uint16_t *)(Address));
}
uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint8_t *)(Address));
}
void MyFLASH_EraseAllPages(void)
{
	FLASH_Unlock();
	FLASH_EraseAllPages();
	FLASH_Lock();
}
void MyFLASH_ErasePages(uint32_t Address)
{
	FLASH_Unlock();
	FLASH_ErasePage(Address);
	FLASH_Lock();
}
void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address,uint32_t Data)
{
	FLASH_Unlock();
	FLASH_ProgramWord(Address,Data);
	FLASH_Lock();
}
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address,uint16_t Data)
{
	FLASH_Unlock();
	FLASH_ProgramHalfWord(Address,Data);
	FLASH_Lock();
	
}

 Store.c

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "MyFLASH.h"   
#define STORE_START_ADDRESS     0x0800FC00
#define STORE_COUNT             512
//利用SRAM缓存数组来管理FLASH的最后一页
uint16_t Store_Data[STORE_COUNT];//512个数据每个数据16位，2个字节，对应闪存的一页1024字节
void Store_Init(void)
{
	uint16_t  i;//下面的地址一定要写对，查了半天
	if(MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS) != 0xA5A5)//规定标志位，判断是否第一次读写该页
	{
		
		MyFLASH_ErasePages(STORE_START_ADDRESS);
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS,0xA5A5);
		
		for(i = 1;i<STORE_COUNT;i++)
		{
			MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i*2,0x0000);
		}
	}
	
	
	for(i = 0;i<STORE_COUNT;i++)
	{
		Store_Data[i] = MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i*2);
	}
		
	
	
	
}
void Store_Save(void)
{
		uint16_t  i;
		MyFLASH_ErasePages(STORE_START_ADDRESS);
		for(i = 0;i<STORE_COUNT;i++)
		{
			MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i*2,Store_Data[i]);
		}	
}
void Store_Clear(void)
{
	uint16_t  i;
	for(i = 1;i<STORE_COUNT;i++)//这里不要将标志位清零
	{
		Store_Data[i] = 0x0000;
		 
	}
	Store_Save();//保证数组和闪存数据一样
}

 main.c

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"  
#include "OLED.h" 
#include "Store.h" 
#include "Key.h" 
uint8_t Num;
int main()
{
	Key_Init();
	OLED_Init();
	Store_Init();
	OLED_ShowString(1,1,"Flag:");
	OLED_ShowString(2,1,"Data:");
	
	Store_Save();
	while(1)
	{
		Num = Keynum();
		if(Num == 1)
		{
			Store_Data[1] ++;
			Store_Data[2] +=2;
			Store_Data[3] +=3;
			Store_Data[4] +=4;
			Store_Save();
			
			
		}
		else if (Num == 2)
		{
			Store_Clear();
			
		}
		OLED_ShowHexNum(1,6,Store_Data[0],4);
		OLED_ShowHexNum(3,1,Store_Data[1],4);
		OLED_ShowHexNum(3,6,Store_Data[2],4);
		OLED_ShowHexNum(4,1,Store_Data[3],4);
		OLED_ShowHexNum(4,6,Store_Data[4],4);
		

		
	}	
}

注：

使用完

要记得断开连接，避免STM３２被占用，ｋｅｉｌ无法下载程序

小端模式存储：低位字节存储在低位地址

OLED有显存，可以保存最后一次显示的内容

页擦除后，程序损坏，也没有办法自动运行

 

前3个数相加得到的就是程序占用闪存的大小

后两个数相加得到的就是占用SRAM的大小

（2）读取芯片ID

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"  
#include "OLED.h" 
int main()
{
	OLED_Init();

	OLED_ShowString(1,1,"FSIZE:");
	OLED_ShowHexNum(1,7,*((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E0)),4);//存储器时16位的
	
	OLED_ShowString(2,1,"UID:");
	OLED_ShowHexNum(2,5,*((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E8)),4);//存储器可以以半字，字，字节读取
	OLED_ShowHexNum(2,11,*((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E8+0x02)),4);//要加上地址偏移
	OLED_ShowHexNum(3,1,*((__IO uint32_t *)(0x1FFFF7E8+0x04)),8);//
	OLED_ShowHexNum(4,1,*((__IO uint32_t *)(0x1FFFF7E8+0x08)),8);//

	while(1)
	{

		
	}	
}

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