首先我们来从EMC测试项目构成说起，EMC主要包含两大项：EMI（干扰）和EMS（产品抗干扰和敏感度），当然这两大项中又包括许多小项目。

EMI主要测试项：

RE（产品辐射，发射）、   CE（产品传导干扰）、  Harmonic（谐波）、  Ficker（闪烁）。

EMS主要测试项：

ESD（产品静电）、  EFT（瞬态脉冲干扰）、  DIP（电压跌落）、 CS（传导抗干扰）、

RS（辐射抗干扰）、  Surge（雷击）、   PMS（磁场抗扰）。

可以看到大厂对于EMC整改有一系列的自查步骤：

在EMC试验时，MCU的ADC采集到的信号被干扰到了，则除了在原理图上分析外，在PCB上讲该信号高亮出来，然后再耐心寻找该信号的回流路径是否有不顺畅的地方：

常用电子产品行业标准及认证：

1、GB国标

GB：强制性国家标准（GB国标）

GB/T：推荐性国家标准（T推荐）    GB/Z：指导性国家标准（Z指导）

2.CQC认证有两个涵义：

一是发证机构是CQC(中国质量认证中心)(需要说明的是大部分3C证书也是CQC发证的)；

二是区别于CCC强制性认证，属自愿性认证，也就是说国家法律法规层面没有强制要求办理，是企业自愿进行的认证行为。

EMC整改必用的元器件：

普通电容之所以不能有效地滤除高频噪声，是因为两个原因：

（1）一个原因是电容引线电感造成电容谐振，对高频信号呈现较大的阻抗，削弱了对高频信号的旁路作用；

（2）另一个原因是导线之间的寄生电容使高频信号发生耦合，降低了滤波效果。

运放带宽：

带宽就是一个频率范围，在这个范围内信号可正常传输，在范围之外信号可能会出现较大的波形失真，例如波形畸变或幅度不够。

单位增益带宽（GB）定义为，运放的闭环增益为1倍条件下，将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端。从运放的输出端测得闭环电压增益下降 3db（或是相当于运放输入信号的0.707）所相应的信号频率。

运放有个指标叫单位增益带宽积（GBW），它等于输入信号频率与该频率下的最大增益的乘积。换句话说，就是当知道要处理的信号频率和信号须要的增益以后，可以计算出单位增益带宽，用以选择合适的运放。

从规格书上可以看到，NE5532的GBW=10MHZ，若实际闭环增益为100，则理论处理小信号的最大频率为10MHZ/100=100KHZ。

压摆率（转换速率）SR： 

运放接成闭环条件下，将一个大信号（含阶跃信号）输入到运放的输入端，从运放的输出端测得运放的输出上升速率。因为在转换期间，运放的输入级处于开关状态。所以运放的反馈回路不起作用，也就是转换速率与闭环增益无关。

简单地说就是当信号输入时，输出信号响应的速度，这个速度越快，说明响应的越及时。

根据芯片手册可见5532的转换速率为9V/us。转换速率对于大信号处理是一个非常重要的指标。对于一般运放转换速率SR<=10V/μs。快速运放的转换速率SR>10V/μs。眼下的快速运放最高转换速率SR达到 6000V/μs。

还有一点要注意，运放的输入电流不能太大，可串一个大电阻限流。

运放和比较器可以互换吗？

内部框图如下:

1.  从内部图可以看出运算放大器和比较器的差别在于输出电路。运算放大器采用双晶体管推挽输出，而比较器只用一只晶体管，集电极连到输出端，发射极接地。

2.比较器需要外接一个从正电源端到输出端的上拉电阻，该上拉电阻相当于晶体管的集电极电阻。 

3.电压比较器只能用于信号电压比较，不能用于线性放大电路（比较器没有频率补偿）。 

4.两者都可以用于做信号电压比较，但比较器被设计为高速开关，它有比运算放大器更快的转换速率和更短的延时。 

5.放大器与比较器的主要区别是闭环特性!

放大器大都工作在闭环状态,所以要求闭环后不能自激。而比较器大都工作在开环状态更追求速度。对于频率比较低的情况放大器完全可以代替比较器(要注意输出电平)，反过来比较器大部分情况不能当作放大器使用。 

6.因为比较器为了提高速度进行优化，这种优化却减小了闭环稳定的范围。而运放专为闭环稳定范围进行优化，故降低了速度。所以相同价位档次的比较器和放大器最好是各司其责。 

注意:当使用集成运放或比较器时，如果有多余的运放或比较器未使用的，不能悬空，需要做如下处理，避免引发不必要的问题。

1.比较器正负输入端同时接地

2.运放正输入端接地，负输入端跟输出端相连，避免产生自激振荡。

比较器的输出电压大小问题：

此电路用的是LM2903，它是一个低功耗低失调电压的双比较器。两个输入端VIN和5V，选择5V输入端作为参考点来比较，当VIN小于参考电压V1时，比较器输出高电平+12V，反之输出低电平-12V。那么高电平为什么是+12V，而不是5V？低电平为什么是-12V，而不是GND？

从框图中可以看出比较器的输出端是个OC输出（集电极开路），说到OC输出，OC输出是悬空的，使用时若要输出高电平，则需要接上拉电阻。

结合内部框图，从上图可以看出，高电平的电压是等于上拉电阻的+12V，低电平电压等于-12V。所以输出电平的大小，可根据需要来选择。如果需要输出5V则将输出端上拉到5V，而低电平则由比较器的地决定，如果是单电源供电，低电平就是GND，如果是负电源供电，低电平电压就等于比较器的负电源电压。

运放或比较器的输入端一定不能悬空。输入端悬空的状态下都是不确定电平，容易受到外界干扰。所以在使用不到的情况下，一定要给定电平状态。

双运放或比较器芯片多余的引脚怎么处理？

运放不用的单元，通常接成跟随器形式。另一输入端为正负供电电压的一半。可得出：

双电源供电时，正输入端电压为0，即接地；

单电源供电时，正输入端电压为（1/2）*VCC。

比较器我们一般处理方式是两个输入端相连到地，输出悬空。

有人说，两个输入端平时都是悬空的，没有怎么处理，也没遇到什么问题。个人觉得做电子产品研发，要注意设计的每一个细节。可能做十片百片都没有问题，但是数量越多，难免不会出问题。要有一个思想“不做可能没问题，但做了可能更好，那就一定要做”。

MOS体二极管的妙用：

电源正极Vin_12V经过MOS体二极管，然后到负载RL，最后回到电源负极。假设体二极管的压降为0.7V，那么S极电压约为12-0.7=11.3V。

G极的电压为电阻R4，R5分压后得到，可根据MOS管的导通电压调整参数。

假设R4=1K，R5=10K，Vgs=Vg-Vs=-10.3V，满足PMOS导通条件。

管子导通后，导通压降基本为0，Vgs=-10.3V，管子维持导通状态。

这里有一点需要特别注意，就是此时MOS管的电流是D到S的，与往常我们经常见的S到D是反的

电源反向插入，MOS体二极管反向，管子不通。同时，Vg＞Vs，MOS导通条件不满足，所以管子也不通。管子不通，无法形成电流回路，起到防反接的作用。

MOS体二极管能过多大电流？

体二极管，我们一般也叫寄生二极管，谈到“寄生”一词，我们首先会想到寄生电容和寄生电感，既然是寄生的，那么体二极管通过的电流就不会太大。带着这个问题，我们去看一下某型号MOS管的规格书。

从上表可以看出，体二极管的持续电流是可以到11A，脉冲电流是可以到33A的，二极管的导通电压是1.4V。对，持续电流是可以到11A，可能很多小伙伴对这个电流都比较意外。

NMOS当下管，即S极（源极）直接接地，只需控制G极（栅极）电压即可控制NMOS管的导通或截止，因为MOS管导通的条件取决于VGS的压差。

NMOS当上管，D极（漏极）接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，NMOS关截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。