STM32快速复习(十二)FLASH闪存的读写

文章目录

  • 一、FLASH是什么?FLASH的结构?
  • 二、使用步骤
    • 1.标准库函数
    • 2.示例函数
  • 总结


一、FLASH是什么?FLASH的结构?

1、FLASH简介

(1)STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分,通过闪存存储器接口(外设)可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程
(2)读写FLASH的用途:
利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
通过在程序中编程(IAP),实现程序的自我更新
(3)在线编程(In-Circuit Programming – ICP)用于更新程序存储器的全部内容,它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序(Bootloader)下载程序
(4)在程序中编程(In-Application Programming – IAP)可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序

stm32寄存器地址介绍
在这里插入图片描述
闪存模块组织
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
FLASH基本结构
在这里插入图片描述
FLASH解锁

(1)FPEC共有三个键值:
RDPRT键 = 0x000000A5(解除读保护的秘钥)
KEY1 = 0x45670123
KEY2 = 0xCDEF89AB
(2)解锁:
复位后,FPEC被保护,不能写入FLASH_CR
在FLASH_KEYR先写入KEY1,再写入KEY2,解锁
错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR
(3)加锁:
设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR

使用指针访问存储器
(1)使用指针读指定地址下的存储器:
uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));
(2)使用指针写指定地址下的存储器:
*((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;
(3)其中:
#define __IO volatile (易变的数据,防止编译器优化)


程序存储器

编程
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述
页擦除
在这里插入图片描述
全擦除
在这里插入图片描述
选项字节
(1)选项字节
a.RDP:写入RDPRT键(0x000000A5)后解除读保护
b.USER:配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位
c.Data0/1:用户可自定义使用
d.WRP0/1/2/3:配置写保护,每一个位对应保护4个存储页(中容量)

2)选项字节编程
a.检查FLASH_SR的BSY位,以确认没有其他正在进行的编程操作
b.解锁FLASH_CR的OPTWRE位
c.设置FLASH_CR的OPTPG位为1(即将写入选项字节)
d.写入要编程的半字到指定的地址(指针写入操作)
e.等待BSY位变为0
f.读出写入的地址并验证数据

(3)选项字节擦除
a.检查FLASH_SR的BSY位,以确认没有其他正在进行的闪存操作
b.解锁FLASH_CR的OPTWRE位(选项字节里面有一个单独的解锁)
c.设置FLASH_CR的OPTER位为1(即将擦除选项字节)
d.设置FLASH_CR的STRT位为1(触发芯片,开始干活)
e.等待BSY位变为0
f.读出被擦除的选择字节并做验证

器件电子签名
(1)电子签名(ID号)存放在闪存存储器模块的系统存储区域,包含的芯片识别信息在出厂时编写,不可更改,使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名

(2)闪存容量寄存器:
基地址:0x1FFF F7E0
大小:16位

(3)产品唯一身份标识寄存器:
基地址: 0x1FFF F7E8
大小:96位

二、使用步骤

1.标准库函数

在这里插入图片描述

2.示例函数

代码如下(示例):

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "Delay.h"
#include "OLED.h"
#include "Store.h"
#include "button.h"
 
uint8_t KeyNum;
 
int main(void)
{
	OLED_Init();
	Button_Init();
	Store_Init();//第一次使用时,初始化闪存,把闪存备份的数据加载回SRAM数组,实现SRAM数组上电不丢失
	
	OLED_ShowString(1,1,"Flag:");
	OLED_ShowString(2,1,"Data:");
 
	while(1)
	{
		KeyNum = Button_GetNum();
		
		if(KeyNum ==1)
		{
			Store_Data[1] ++;
			Store_Data[2] +=2;
			Store_Data[3] +=3;
			Store_Data[4] +=4;
			Store_Save();
		}
		if(KeyNum == 2)
		{
			Store_Clear();
		}
		OLED_ShowHexNum(1,6,Store_Data[0],4);
		OLED_ShowHexNum(3,1,Store_Data[1],4);
		OLED_ShowHexNum(3,6,Store_Data[2],4);
		OLED_ShowHexNum(4,1,Store_Data[3],4);
		OLED_ShowHexNum(4,6,Store_Data[4],4);
	}
}

最底层:MyFLASH层

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
 
/*
	读取32位的字
*/
uint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address)//地址必须是32位的
{
	return *((__IO uint32_t *)(Address));
}
	
/*
	读取16位的半字
*/
uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint16_t *)(Address));
}
 
/*
	读取8位的字节
*/
uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address)
{
	return *((__IO uint8_t *)(Address));
}
 
/*
	全擦除
*/
void MyFLASH_EraseAllPages(void)
{
	FLASH_Unlock();//解锁
	FLASH_EraseAllPages();//全擦除
	FLASH_Lock();//锁上
}
 
/*
	页擦除
*/
void MyFLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress)
{
	FLASH_Unlock();//解锁
	FLASH_ErasePage(PageAddress);//页擦除
	FLASH_Lock();//锁上
}
	
/*
	编程写入一个字
*/
void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address,uint32_t Data)
{
	FLASH_Unlock();//解锁
	FLASH_ProgramWord(Address,Data);//指定地址写字
	FLASH_Lock();//锁上
}	
 
/*
	编程写入一个半字
*/
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address,uint16_t Data)
{
	FLASH_Unlock();//解锁
	FLASH_ProgramHalfWord(Address,Data);//指定地址写半字
	FLASH_Lock();//锁上
}

Store.c

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "MyFLASH.h"
 
#define STORE_START_ADDRESS 0x0800FC00
#define STORE_COUNT  		512
 
uint16_t Store_Data[STORE_COUNT];
 
void Store_Init(void)
{
	if(MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS) !=0xA5A5)
	{
		MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);//擦除最后一页
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS,0xA5A5);//写入规定的标志位0xA5A5
		for(uint16_t i=1;i<STORE_COUNT;i++)
		{
			MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS +i*2,0x0000);//写0
		}
	}
	
	for(uint16_t i=0;i<STORE_COUNT;i++)//在上电的时候,把闪存备份的地址的数据,恢复到SRAM数组里
	{
		Store_Data[i] = MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS +i*2);//读闪存数据并存到SRAM数组里
	}
 
}
 
/*
	把SRAM的所有内容备份到闪存
*/
void Store_Save(void)
{
	MyFLASH_ErasePage(STORE_START_ADDRESS);//擦除最后一页
	for(uint16_t i=0;i<STORE_COUNT;i++)//在上电的时候,把闪存备份的地址的数据,恢复到SRAM数组里
	{
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS +i*2,Store_Data[i]);//把SRAM的所有内容备份到闪存的最后一页
	}
}	
 
/*
	把SRAM的所有内容备份到闪存
*/
void Store_Clear(void)
{
	for(uint16_t i=1;i<STORE_COUNT;i++)
	{
		Store_Data[i] = 0x0000;
	}
	Store_Save();//把这个更改更新到闪存里
}

偷个懒,用了别人的图片,还是要自己敲一下代码。才算学会


总结

偷个懒。。。。。。
存在问题
(1)目前闪存的前面部分存储的是程序文件,最后一页存储的是用户数据,如果程序较大,触及到了最后一页,那程序和用户数据存储的位置就冲突了,这时就可以给程序文件限定一个存储范围,不让它分配到后面我们用户数据的空间来
在这里插入图片描述
(2)配置下载选项,擦除扇区,用到多少就擦除多少,下载速度更快
在这里插入图片描述
(3)想知道目前程序编译后占多大空间
全部编译一下
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or
或者双击Target1查看.map文件
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