一、指南说明
针对光偶选型和实际使用过程中出现因光偶特性变化引起的产品失效问题,提供指导。光耦属于易失效器件,选型和使用过程中要特别的小心。目前发现,因光偶的选型,光偶工作电流,CTR参数选型不合适,工作温度设计不当等原因导致产品出现问题,如何减少选型,设计,替代导致的产品问题,这里做一些指导的介绍,更好的进行器件的选型和设计,提高产品的质量。
二、原理介绍
1. 光耦原理
电耦合器(简称光耦)是以光为媒介传输电信号的一种电 -> 光 -> 电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源(如发光二极体)和受光器(如光敏三极管)组装在同一密闭的壳体内,彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端,受光器的引脚为输出端。光电耦合器分为很多种类,图一所示为常用的三极管型光电耦合器原理图。
图一 常规光电耦内部结构图
当电信号送入光电耦合器的输入端时,发光二极体通过电流而发光,光敏元件受到光照后产生电流,CE导通;当输入端无信号,发光二极体不亮,光敏三极管截止,CE不通。
2. 光耦作用
作用:在信号传输过程中,光耦能够有效地抑制尖脉冲和各种杂讯干扰,使通道上的信噪比大为提高,主要有以下几方面的原因:
(1)光耦的输入阻抗很小,只有几百欧姆,而干扰源的阻抗较大,通常为 105~106Ω。据分压原理可知,即使干扰电压的幅度较大,但馈送到光电耦合器输入端的杂讯电压会很小,只能形成很微弱的电流,由于没有足够的能量而不能使二极体发光,从而被抑制掉了。
(2)光耦的输入回路与输出回路之间没有电气联系,也没有共地;之间的分布电容极小,而绝缘电阻又很大,因此回路一边的各种干扰杂讯都很难通过光电耦合器馈送到另一边去,避免了共阻抗耦合的干扰信号的产生。
(3)光耦可起到很好的安全保障作用,即使当外部设备出现故障,甚至输入信号线短接时,也不会损坏仪表。因为光耦合器件的输入回路和输出回路之间可以承受几千伏的高压。
2. 光耦内部结构图及CTR计算方法
晶体管光耦规格定义 CTR:Ice/IF *100% (测试条件:I F =5 ma Vce=5V)
三、光耦主要特性分析
1. 外观尺寸
外观尺寸要根据产品设计的需求进行选择,通用光耦封装图下图所示:
2. CTR随着控制电流IF的变化而变化
如下图所示:IF 在 5-15ma 时 CTR 值最大;在小于 5mA 时,CTR 值一般小于正常额定规格值。
批次一,在常温下测试光耦的CTR
批次二,在常温下测试光耦的CTR
注意:IF不同,CTR 不同,且差异非常大;不同生产批次的光耦也有较大的差异,但是,在 IF=5ma 时,CTR 值都在规格(130-260)范围内。因此在设计,选型的时候,工作电流应接近来料的检测电流值(目前大多 IF=5ma)并且CTR按照规格书里面说明的最小值进行产品设计,否则产品动态性能将很差,容易出现产品质量问题。
3. CTR随温度变化而变化
CTR 值与光偶的工作环境有关,温度高于25℃时,光耦的CTR会逐渐变小,温度低于25℃时,光耦的CTR值会逐渐变大。因此在使用光耦的时候要极其注意CTR和温度的关系图,如下图所示。需要实际评估产品的使用环境问题,CTR降额使用,例如设备的环境温度达到65℃,CTR降低至70%使用。
4. 光耦RL阻值大小和工作带宽的关系
光耦被使用在信号传输上要关注光耦的带宽,RL越小带宽越高,同时容易出现信号传输电平拉不底的现象。RL越高带宽越小,容易出现上升沿或者下降沿过缓的现象。实际设计要根据产品工作频率进行RL选择,RL选取阻值务必在带宽内,并且注意确认信号的上升下降时间是否符合设计要求,高低电平的阈值是否符合设计要求。
5. IF随环境温度变化而变化
如下图可看出:环境温度超过70摄氏度度后,输入控制电流 I F 的最大值将随着温度上升而显著减小。设计和选型时,注意选取合适的 IF 电流,使输入控制电流的变动都能及时反馈到输出端,保证产品反馈环的稳定。
6. 环境温度与功耗特性关系
由下图可看出:光偶的输出部分(或集电极)功耗在低于20℃时功耗较高并保持恒定,当温度高于20℃时功耗会逐步降低,需要时可计算一下光耦在高温工作时的功耗值,根据曲线通常光耦高温时温升不会超过额定工作温度。
7. IC/IF/VCE关系曲线
由下图所示:VCE 必须大于一定电压,IC 才能达到最大,CTR 值才会大。VCE 在电路应用中,保证设计有一定的电压值,否则 Ic 将较小,CTR 将较小,实际根据产品的电压信号传输判定阈值进行选择。
8. CTR值与工作时间/工作电流/工作温度关系曲线(datasheet一般不体现,可让供应商提供)
由下图可以看出:工作时间越长,CTR 值越小;工作温度越高,CTR 值越小;工作电流越大,CTR 值越小;在设计选型时,在规格书规定的工作环境温度下,为了保证产品足够寿命,需要选取合适的工作电流;
9. VCE漏电流ICEO大小与温度关系曲线
由下图可看出:漏电流 ICEO 与环境温度, 工作电压有关;温度越高,漏电流越大,Vce 越高,漏电流越大;在设计选型时,需选取 ICEO 小的光耦,电路中取合适 RL, 否则后续控制电路很有可能错误导通。
10. 其他特性
包括基本电气参数要求和器件参数最大值等; 要留意如器件的热阻大小,绝缘耐压值等要求也会在实际应用中出现异常。