目录
1. 电阻
2. 电容
3. 电感
4. 二极管
5. 三极管
6. MOS管
7. 晶振
8. 磁珠
9. LDO
10. 电源
11. 接地
12. 线路
13. 电压表
14. 电流表
1. 电阻
根据欧姆定理，U=I*R，通过某段导体的电流跟这段导体两端的电压成正比，跟这段导体的电阻成反比。
所有物质都具有一定的电阻，只是大小不同。导体通常具有较低的电阻，而非导体（或绝缘体）通常具有较高的电阻。根据欧姆定理，电阻的主要作用就是用业分压。
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串联电阻，串联电路的总电阻等于各串联电阻的代数和。在电路中增加串联电压，相当于给相邻串联元件分压。
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并联电阻，总电阻的倒数等于各分电阻的倒数之和，即总电阻分别小于两个电阻。在电路给指定器件加并联电阻，相当于给器件分压，给其他非并联器件加压。
2. 电容
电容是一种可以存储和释放电荷的元器件，其主要用于存储释放电能或滤波电路。电容有极性电容，其分正负极，一般电容值较大，多用于高通滤波。非极性电容，电容值较小，多用于低通滤波。当电容器充满电时，电容器的两端的电压会达到其额定电压，并且电流将停止流动。从电流的角度来看，可以说电容器相当于断开。电容器对不同频率的电信号有不同的阻抗，这样用于滤波。
3. 电感
电感是由导体线圈或线圈组成，并具有存储和释放磁场能量的能力的一种元器件。电流通过电感时，电感会产生一个反向的电动势（自感应电动势），试图阻止电流的变化，这种特性可以用来滤波。电感主要用于LC振荡电路和滤波电路。
4. 二极管
二极管是一种具有两个电极的元器件，只允许电流由单一方向流过。
5. 三极管
三极管是一种控制电流的半导体器件，主要由三个区域组成，即发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。它通过控制基极电流来调节集电极电流，实现放大和开关的功能。
6. MOS管
MOS管则由金属-氧化物-半导体结构组成，包括栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。它通过控制栅极的电压来使用源极和漏极之间导通和截止，可以当控制开关使用。NMOS栅极电压高于阈值电压时源极漏极导通；PMOS栅极电压低于阈值电压时源极漏极导通。
7. 晶振
晶振（Crystal Oscillator）是一种基于晶体的电子元件，用于产生稳定的高频振荡信号。
8. 磁珠
一种微米级的磁性颗粒，磁珠等效于一个电感元件和一个串联电阻。磁珠主要用于滤波电路。
9. LDO
LDO是低压差线性稳压器“Low Dropout Regulator”的英文缩写，是一种电源管理器件，用于将输入电压稳定地转换为较低的输出电压。输入电压VIN为1.6~5.5V，输出电压VOUT始终保持在1.2V。Cin和Cout两个电容的作用是，当系统发生突然上电时，Cin因为充电可以平缓输入电压，当系统断电或切断电源时，电容器可以在短时间内提供额外的电荷，使得输出端的电压变化更加平缓。
10. 电源
电压源（Voltage Source）是提供恒定电压输出的装置或元件。电流源（Current Source）是提供恒定电流输出的装置或元件。
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Vcc, Vdd, Vccq,
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Vcc，IC的工作电压，主要用于控制IC内部的各种逻辑。
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Vdd，IC的设备电压，在NAND Flash中，与Vccq等同，用于数据传输存储，为了降低功耗，其电压从早期的5V到后来的3.3V, 1.8V甚至1.2V。
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Vcc和Vdd都是电压源，提供稳定电压。
11. 接地
Vss对应Vcc, Vssq对应Vccq，都是接地0V。
12. 线路
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单端线，单根普通线，常用于低速数据传输或模拟信号传输。
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差分线，差分线是由两根相互平行但是传输信号完全相反的线构成。
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差分线的好处是，如果传输的信号受干扰，那么两个差分线就同时受干扰，两个信号会同时变化，那么两个信号的幅值差就会近似不变的，利用幅值差来表示信号就可降低干扰。利用这个特性，差分信号可以传输高速信号，减少信号传输过程中的干扰。
13. 电压表
电压表和电阻形成一个并联电路，并联总电阻R=(Rv*Rx)/(Rv + Rx)。在电压表内阻Rv趋向于无穷大时，根据极限理论，总电阻R近似等于Rx。实际上一般电压表内阻在几MΩ甚至更大，这样电压表接入电路对电源的实际负载的影响较小，所以测试出的电压近似为真实电压。
14. 电流表
电流表是串联接入电路的，电流表的内阻很小，一般为几mΩ，这样电流表接入电路对电源的外部负载影响很小，所以测量的电流近似于真实值。电压表和电流都有相应的精度，根据电路选择更合适的精度可以测量得更准确。
