现在很多人了解到MOS的饱和导通时电阻很小。

不过MOS的导通有条件，就是GS电压要求比较高。

在保护方面，我们需要

1，简单可靠，务必不要太复杂

2，触发电压要低，电流要求要小，否则灵敏度达不到

第一个图不明显，第二个图看了就很明显，K钳位到二个二极管的电压。就说明触发的电压非常低。这对于像漏电保护这样需要通过不平衡的磁产生电流的触发方式来说，非常合适。

这是电池充电防反接，控制2N5401的Vbe从而触发可控硅是否导通。