据报道，三星计划在2026年前推出400层的垂直NAND闪存，并且目标是在2030年前实现1000层的NAND技术。随着人工智能（AI）浪潮的到来，高带宽内存（HBM）已经成为存储巨头之间的关键战场，而同样适用于AI数据中心使用的高容量固态硬盘（SSD）的多层NAND芯片也需求激增。

根据韩国经济日报的最新报道，三星计划在2026年推出400层的垂直NAND，以在快速增长的AI驱动存储市场中占据领先地位。目前，三星已经在大规模生产其286层的V9 NAND闪存芯片，设备解决方案部门正瞄准在2026年之前生产至少400层堆叠的垂直NAND。

三星的主要竞争对手SK海力士也在开发400层NAND技术，目标是在2025年底之前准备好这项技术的大规模生产。据ETNews八月份的报道，SK海力士预计将在2026年上半年开始全面生产400层NAND，这与三星的时间表大致相同。

技术创新：“AI梦想NAND”

报道指出，在传统的NAND芯片中，存储单元位于外围电路之上，后者充当了芯片的“大脑”。然而，当堆叠层数超过300层时，通常会对外围电路造成损害。早在2013年，三星就率先推出了垂直堆叠存储单元的V-NAND芯片，以最大化存储容量。

为了解决这一问题，三星正在开发其先进的第十代V-NAND（V10），并打算使用一种创新的键合技术，即在不同的晶圆上分别制造存储单元和外围电路，然后将它们键合在一起。这种被称为键合垂直NAND（BV NAND）的技术被三星誉为“AI梦想NAND”，它能够将每单位面积的位密度提高1.6倍。

这种技术有望支持“超高”的NAND堆叠，提供大量的存储容量以及高效的散热性能，非常适合用于AI数据中心的SSD。

长期路线图

三星的目标远不止于此，还透露了未来更多层NAND的长期路线图。根据韩国经济日报的报道，三星计划在2027年通过推出V11 NAND来进一步推进其堆叠技术，该技术的数据输入/输出速度将增加50%。此外，高管们表示，这家存储巨头还计划在2030年前开发出超过1000层的NAND。

根据TrendForce最新的研究显示，在2024年第二季度，三星在全球NAND闪存市场的份额为36.9%，比前一季度增长了0.2%。SK集团则以22.1%的市场份额紧随其后，下降了0.1%。其他主要参与者包括铠侠（Kioxia）（13.8%）、美光（Micron）（11.8%）以及西部数据（Western Digital）（10.5%）。

这些发展凸显了半导体行业内持续的创新和竞争，特别是在NAND闪存内存领域。随着AI应用不断演进并且需要越来越多的数据存储，向更高密度和更快性能的NAND技术的推动变得越来越重要。