DS1302 时钟
时钟试题 常作为实验室考核内容
控制三个引脚
P17 时钟 P23输入 P13复位 其他已经配置好
寄存器原理
定位地址 0x80地址
固定格式 0x57 5*10+7*1 =57
小时写入格式 不同 首位区分 A上午 P下午
0为24小时制
1为12小时制 写入8小时 0x87 //1000 7 十二小时制 7*1=7 十二小时制 7点
使用方法
追踪地址
写入59秒 秒 地址 1000 0000 //0x80 传输数据 0x59 输入59秒
写入月份 月 地址 1000 1000//0x88 传输 0x99 输入9月
如下图 h为16进制后标 使用 0x80 = 80h
写入2进制
写入函数
void Write_Ds1302(unsigned char temp)
{
unsigned char i;
for(i=0;i<8;i++)
{
SCK=0;//拉高数据得以传输进去
SDA=temp&0x01;/*
1010 0000
0000 0001
兼并 都为1 传输 一0则0 不修改其他的地方
*/
temp>>=1;//扫过这8位数据
SCK=1;//关门
}
}数据写入
void Write_Ds1302_Byte(unsigned char address,unsigned char dat) //地址写入 数据写入
{
RST=0; _nop_();
SCK=0; _nop_();
RST=0; _nop_();
Write_Ds1302(address);
Write_Ds1302(dat);
RST=0;
}读取
unsigned char Read_Ds1302_Byte (unsigned char address)
{
unsigned char i,temp=0x00; //temp接受数据
RST=0; _nop_();
SCK=0; _nop_();
RST=0; _nop_();
Write_Ds1302(address);
for(i=0;i<8;i++)
{
SCK=0;
temp>>=1;
if(SDA)
temp|=0x80;
SCK=1;
/*
temp 初始 0000 0000
SDA 1010 1100
| 《含义:若其中一个为0则变为1
*/
}
RST=0; _nop_();
SCK=0; _nop_();
RST=0; _nop_();
SDA=0; _nop_();
SDA=1; _nop_();
return(temp);
}void Set_Rtc(unsigned char* ucRtc) //写入
{
unsigned char i;
Write_Ds1302_Byte(0x80,0);
for(i=0;i<3;i++)//写入时分秒
Write_Ds1302_Byte(0x84-i*2,ucRtc[i]);
/*
Write_Ds1302_Byte(0x84,ucRtc[0]);时
Write_Ds1302_Byte(0x82,ucRtc[1]);分
Write_Ds1302_Byte(0x80,ucRtc[2]);秒
*/
Write_Ds1302_Byte(0x8e,1);
}
void Read_Rtc(unsigned char* ucRtc)//读取
{
unsigned char i;
for(i=0;i<3;i++)
ucRtc[i]=Read_Ds1302_Byte(0x85-i*2);
}
DS18B20模块
温度检测
高速暂存器
默认温度 85度
用户字节分别为 上限 和下限
配置寄存器
byte 2~4 读取字节
温度寄存器
输入
bit7—bit4 整数位 bit3—bit0 小数位
小数计算 后4位 1110 为8 因为这是小数位所以8的-1次方 为0.125
07D0h = 0000 0111 1101 0000
FFD0h = 1111 1111 1101 0000
前5位0为正 1为负
报警 TH TL
比较整数位
改变报警标志位 置回
配置寄存器
配置精度 置位 设置精度
使用方法
1.初始化
2.rom操作 只有这一个芯片
3.功能指令 读入序列号 定位
ROM指令
初始化
单总线拉高 拉高完毕 返回低平
时序问题
接受高平 拉低信号 释放 读取低电平变化 初始化成功 释放总线
//总线延时函数
void Delay_OneWire(unsigned int t)
{
t*=12; //原先1t *=12 则为t/12 若为12t则 有*=12
while(t--);
}//DS18B20设备初始化
bit init_ds18b20(void)
{
bit initflag=0;
DQ=1;
Delay_OneWire(12); //高
DQ=0;
Delay_OneWire(80); //低
DQ=1;
Delay_OneWire(10); //释放
initflag =DQ;
Delay_OneWire(5); //读取0初始化成功
}晶振与周期 写入时间判断
跟晶振有关
指令周期为1us
写入函数
拉低时序不同
void Write_DS18B20(unsigned char dat)
{
unsigned char i;
for(i=0;i<8;i++)
{
DQ=0;
DQ= data&0x01;
/*
dat 0101 1101 &0x01
检测 若同为1则拉入 写入程序
*/
Delay_OneWire(5);
DQ=1;
dat>>=1 ;
}
Delay_OneWrie(5);
}读取时序
//读取字节
unsigned char Read_DS18B20(void)
{
unsigned char i;
unsigned char dat;
for(i=0;i<8;i++)
{
DQ=0;
dat>>=1;
/*
*/
DQ=1;
if(DQ)
{
dat |=0x80;
}
Delay_OneWire(5)
}
return dat;
}函数总览
//温度读取函数
float rd_temperature(void)
{
unsigned char low,high; //返回高低八位
init_ds18b20(); //初始化
Write_DS18B20(0xcc); //跳过ROM
Write_DS18B20(0x44); //进行温度转换
init_ds18b20(); //初始化
Write_DS18B20(0xcc); //跳过ROM
Write_DS18B20(0x44); //读取温度
low=Read_DS18B20(); //读取低
high=Read_DS18B20(); //读取高
return((high<<8)|low)/16.0; //精度换算 12位
}
乘以精度
按顺序读取 从上向下
初始上电时 默认为85度
可以在执行前 进行定义
void main()
{
t=read_t();
Delay750ms();
System_Init();
Timer0_Init();
while (1)
{
Key_Proc();
Seg_Proc();
Led_Proc();
}
}
