MOS管的驱动波形
一个 MOS管在开通或者关断的时候，必定会经历一个线性区。这个线性区域在 Vgs波形上表现出一个平台，在这个平台的时候电流和电压的变化率是很大的，有很大的 dv/dt，di/dt ，由于 di/dt变化非常大，然后在 MOS管上有寄生电容，在元器件引线和走线上都存在寄生电感，如下图，那么这些寄生电容和寄生电感很容易振荡，并且由于寄生参数值也都不大，所以振荡频率很高
那么在振荡的时候， Vgs电压在平台区域就叠加了一个高频振荡。
MOS管在米勒平台区域本来就是一个线性区域，线性区域一点点电压的变化就能让 MOS管的内阻变化很大，
MOS管内阻忽大忽小激烈变化，在电压上表现出来就是 Vds的电压变化率非常大，而MOS管的DS之间的电压变化率也是有一个 dv/dt耐受度的，MOS管的dv/dt一旦超标就引起 MOS管损坏。
所以，驱动电阻不能太小除了引起 EMI问题之外，也有这个原因的。为了让寄生电感更小，让影响降到最低，我们在 PCB布局布线的时候，尽量让这些主功率回路，让驱动回路尽量短，最终我们在做电源调试的时候， MOS管的驱动波形，我们是需要单独去测试评估的，不能有太大振荡
MOS管的并联问题
在一个电路中的功率器件，通常会碰到一种情况，就是这个元器件的功耗比较大，如果使用一个的话可能热很难散掉。那么对于这种情况下，我们可能想到会用两个元器件来串联，或者并联，能让功耗分散掉了这样散热会更加方便
比如我们的PFC项目，如果使用两个 MOS管串联的话只会增大总功耗，而不会分散单个 MOS的功耗，所以我们采用了并联。
我们在使用元器件串联的时候，需要考虑均压问题，而使用元器件并联的时候需要考虑均流问题
如果两个MOS管并联之后，如果不能均流，其中一个 MOS流过的电流更大，另外一个 MOS流过的电流更小，那么电流流过更大的管子将会承当大部分损耗和热量，这样就达不到我们想要的的结局了。通常情况下电阻很好串并联没什么纠结的，但是对于二极管和 MOS的并联我们就需要了解其中的一些特性去分析一下了
实际上，对于普通的分立二极管和 MOS关而言，MOS管的特性跟二极管的特性相比， MOS管是更加适合并联的，下面我们来分析一下，为什么在均流特性上分立 MOS管比分立二极管更适合并联呢？
因为分立二极管的电流特性是负温度系数，而分立 MOS管的电流特性是正温度系数。对于普通二极管而言，在正向导通的时候，都会有一个正向导通压降的，而这个正向导通压降的大小不是恒定不变的，就算电流一定时，在温度不一样的时候，正向压降也不一样
在电流一定的前提下
温度更高时：正向压降 Vf更低
温度更低时：正向压降 Vf更高
假设我用两个同品牌同型号的二极管并联使用
虽然说，二极管型号相同，但是只要是人为生产出来的东西，他总会有一些细微的差异的，比如上图，描述了 D1和D2的伏安特性曲线趋势图，为了方便讲解图中体现了细微的差异，当ab之间二极管导通之后，对于 D1和D2两个二极管的压降始终同一个压降 Vab，假设刚开始导通的时候电压为 Vab1，
D1和D2的压降虽然都是 Vab1，但是由于伏安特性的细微差异，一定会导致 D1的电流比D2的电流要大，
D1和D2流过不同的电流之后， D1跟D2相比，产生的功耗会更大一点，那么时间一长， D1的发热量一定比 D2的发热量要更大，由于D1和D2的热量上升，根据二极管负温度特性，二极管的正向压降会降低，并且 D1比D2热，则D1的压降会相对降到更低，那么此时D1的Vf更低了，会钳位这个电压，也就是 D1的Vf钳位了D2的Vf，那么此时D2也不是不导通
只是说D2的压降被钳位至更低之后，根据伏安特性 D2通过的电流会更进一步变小，总电流不变的情况下 D1将承受更多电流，而D1承受更多电流之后， D1和D2的温差又会进一步拉大，这样就会导致两个二极管流过的电流差异会越来越大，最终会让大部分电流都由 D1来承担，导致两个二极管不能均流，没有达到我们想要的结果，我们再看看MOS管，为何又更加适合并联使用呢，实际上功劳是归结于 MOS管导通之后的 Rdson的正温度特性，我们如果使用两个相同品牌相同型号的， MOS管并联来使用，那么对于内阻Rdson的话，虽然管子相同，但是两者之间还是会有细微的差异的，那么由于内阻 Rdson有差异，那么电流在一开始的时候，两个管子的电流分配就不够均匀。
假设，Q1的内阻比Q2内阻小一点点，流过 Q1的电流会比Q2的电流大，那么Q1的损耗会更大，温度也会更高一点，然后我们看看 MOS管的Rdson的温度曲线图，知道 MOS管的内阻是随温度升高而增大的，那么啊，Q1温度比Q2高，那么会表现出， Q1的内阻会比Q2的内阻增长的更多，那么，Q1的内阻增长上来之后， Q1的电流会得到减小，减小的电流流向 Q2，所以啊，对于两个 MOS管而言，无论哪个分流多温度偏高，都会引起内阻变大，从而会导致这个 MOS管电流下降，另外一个 MOS管的电流上升。
所以啊，对于MOS管而言内阻的正温度系数，让 MOS管并联均流有了一个天然的自动调节作用
MOS管的驱动注意事项
对于两个MOS管并联的时候，我们是希望他们是同时开和同时关的，两者越同步越好
那么，两个MOS管的驱动电路，在设计的时候，务必要共用一个驱动电路，这样才能让他们的同步性更好
如果MOS管的开关时刻没有同步，对单个 MOS管的电流太大损耗会加大不说，还可能一个导通之后，会对另外一个 MOS的寄生回路增加一个电流反抽，让驱动电压变化激烈带来一定的风险
那么对于我们的驱动电路是共用的，只是最后一个电阻分开了，分开之后更加好布局布线一点
