1、ROM和RAM:
半导体存储器,ROM(Read Only Memory),RAM(Random Access Memory)。ROM在停电时能够保持数据;RAM需要周期性刷新数据,掉电会丢失数据。
2、ROM大致可以分为:PROM(可编程ROM)、EPROM(可擦除、可编程ROM)、EEPROM。
3、RAM分为两大类:
(1)静态RAM(static RAM / SRAM),SRAM的速度是目前最快的存储设备。
(2)动态RAM(Dynamic RAM / DRAM),DRAM保存数据的时间短,需要进行周期性刷新操作。
DRAM有很多种类:常见的有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDR RAM、SGRAM、WRAM。
DDR RAM(Double Data Rate RAM):也称DDR SDRAM,它和SDRAM基本一样,不同的是它可以在一个时钟周期读写两次数据。
SDRAM(Synchronous DRAM):同步动态随机存储器,数据读写需要时钟同步。
4、Flash(闪存):目前主要有NOR Flash和NAND Flash
(1)它结合了ROM和RAM的优点,具有电子可擦除、可编程(EEPROM)的性能,Flash不仅掉电不会丢失数据,还具有快速读取数据的优点。
(2)Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,它可以用于存储Bootloader和操作系统以及程序代码,应用程序可以直接在闪存中运行。
(3)采用并行接口,有独立的地址线和数据线。
(4)NAND采用的是串行接口,地址线和数据线是共用的I/O线。CPU从NAND读取数据的速度很慢,如果用NAND作闪存时,必须把数据从NAND读取到内存中,另外NAND Flash容易出现坏块。
(5)NOR Flash:可以直接运行装载在NOR Flash中的程序。
NOR Flash和NAND Flash的区别:
(1)类型:NOR Flash(或非);NAND Flash(与非)
(2)接口:NOR Flash地址和数据总线分开;NAND Flash共用地址和数据总线
(3)读写单位:NOR Flash以字节为单位;NAND Flash以块/页为单位
(4)组成结构:NOR FLash,扇区、字节;NAND Flash,块、页
(5)擦除单位:NOR Flash,扇区;NAND Flash,块
(6)读写和擦除速度:NOR Flash的读写速度比NAND块,NAND Flash的写入和擦除速度比NOR Flash快。