DDR自学笔记

DDR的技术发展

标准名称

内核时钟(MHz)

I/O时钟(MHz)

工作电压(v)

预取位数

突发长度

数据速率(MT/s)

数据带宽(GB/s)

拓扑

SDRAM

100-166

100-166

3.3

1

/

100-166

0.8-1.3

T

DDR

133-200

133-200

2.5

2n

2

266-400

2.1-3.2

T

DDR2

133-200

266-400

1.8

4n

4

533-800

4.2-6.4

T

DDR3

133-200

533-800

1.5

8n

8

1066-1600

8.5-14.9

Fly-by

DDR4

133-200

1066-1600

1.2

8n

8

2133-3200

17-21.5

Fly-by

DDR5

?

1600-3200

1.1

16n

3200-6400

32

Fly-by

DDR3之前都是内核时钟与外部IO的时钟的Prefetch预取数的倍数关系,DDR4是引入bank grounp的概念,导致与DDR3同样的预取数,但是IO时钟可以加倍,由于上下边沿采样数据,所以数据的速率又是IO时钟的2倍关系。

数据速率和带宽的关系是:数据速率*位宽数据带宽 

DDR4内部框图

                                                   图: MT40A1G8 的内部框图

1Gx8表示SDRAM具有8位的I/O数据位宽度(参见图中右侧的DQ[7:0]信号)。所以8G也有2Gx4,4位I/O宽度,512M x 16的16位I/O数据位宽度。

每个内存阵列为65536x128x64,称为一个bank,4个bank组成一个bank组,共有4个bank组,所以总容量为65536*128*64*4*4= 8Gb。这里注意存储的最小单元就是1bit。

具体来说,在65536x128x64的每个存储阵列规格中,65536代表行数,每行存储128*64=8192位的数据,同时也是

图中Sense放大器与I/0栅极、DM掩码逻辑之间传输的位宽。每行有1024列,每列包含8位数据。由于DDR4预取宽度为8n,一次访问需要8列数据,即64位。所以每一行都有128个64位,这就是65536x128x64位中的128x64的来源。

DDR3内部框图

                                                图:MT41J256M8 的内部框图

DDR3中没有bank组的概念,只有8个bank。

32768x128x64的每个存储阵列规格中,32768代表行数,每行存储128*64=8192位的数据,同时也是

图中Sense放大器与I/O栅极、DM掩模逻辑之间传输的位宽。每行有1024列,每列包含8位数据。DDR3预取宽度为8n,一次访问需要8列数据,即64位。所以每一行都有128个64位。

容量计算:

以256Meg x 8这个规格的内存计算,32k *128 * 8 *8 *8 = 2Gb,这3个8分别来自bank,位宽,prefetch。

1DDRPrefetch预取

以下面的DDR3读取为例,下图中共有8条数据线,每一条数据线都是一个8选1模拟开关的输出,每个输出前面还有8个输入,这个8个输入分别来自8个bank,8个输入会先存在fifo中缓存,MUX读出的时钟就是内核时钟的4倍,由于DDR的时钟上下边沿采样,所以读出8个数据的时间就是1个内核时钟,8个输出就对应64个输入,prefetch的8n的n是指DQ的IO位宽,表示以位宽的8倍来预取数据,n也就是DQ的数量一般可以是4,8,16,对应预取数据就是32,64,128。

读取流程是先激活行地址,锁存行数据到Sense放大器,激活列地址,数据送到输出缓存,利用Sense放大器值刷新行数据,关闭位线,关闭行线,位线预充电。

2DDRbank grounp

标准型DDR的总线位宽是64bit,若进行16倍预取,总共有128Byte的数据,超过了目前主流处理器的 Cacheline size(用 于处理器缓存的基本数据单元64Byte 的数据通道,由于Cacheline的 限制,DDR4 没有将预取加倍,而是使用 Bank Group 技术,通过两个不同 Bank Group 的8倍预取来拼凑出一个16倍的预取,当DRAM获得了两份数据的读命令,并且这两份数据的内容分布在不同的Bank Group中时, 由于每个Bank Group可以独立完成读取操作,两个Bank Group 几乎可以同时准备好这两份8倍数据。然后这两份8倍数据被拼接成16倍的数据,数据的传输速度达到内部时钟频率的16倍,较DDR3提升2倍。

3DDR的突发长度Burst Length

突发长度BL是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式,连续传输所涉及到存储单元(列)的数量就是突发长度,DDR3内部配置采用了8n prefetch(预取)来实现高速读写,这也导致了DDR3的BL一般都是8。当然也有为4的设置(BC4),是指另外4笔数据是不被传输的或者被认为无效。BL8还是BC的配置在MR0寄存器配置,这里也可以看出A0~A2是用在了burst的配置上,所以DDR3、4的列地址前三位不用做寻址。

4、预充电Precharge

预充电命令用于停用一个bank中的特定行或整个bank,在完成一次读写操作后,如果对同一个logic bank的另外一行进行寻址,就要把原来的有效工作的行关闭,重新发送行/列地址,这个重新打开行的操作就是预充电。

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