国产DRAM厂商长鑫存储母公司睿力集成计划投资24亿美元在上海建一座高端封装工厂。据报道，该工厂将专注于高带宽存储器（HBM）芯片的封装，预计到2026年中开始投入生产。长鑫存储将利用来自多方投资者的资金进行建设，其中包含GigaDevice兆易创新半导体等企业的参与。

新工厂将致力于多种先进封装技术的研发，比如通过硅穿孔（TSV）技术实现存储设备的堆叠互联，这是HBM生产的关键环节。报道中提到，该工厂的封装能力预计将达到每月3万units。

若此封装工厂的建设计划属实，长鑫存储将负责生产HBM DRAM芯片，而其母公司睿力集成则负责将这些芯片组装成HBM堆栈。

这项24亿美元的投资不仅旨在生产适用于人工智能（AI）和高性能计算（HPC）处理器的HBM内存，同时也将提供其他尖端的封装服务。尽管目前未知是否会涉及HBM与计算GPU或专用集成电路（ASIC）的集成，但如果长鑫存储、兆易创新半导体或其他合作方能够掌握构建用于连接HBM堆栈和处理器的硅中介层所需逻辑工艺技术（例如65纳米级别），这将是一个可能的发展方向。

国产领先的外包封装测试服务商（OSAT），包括晶方科技、通富微电、长电科技和中芯集成，已具备HBM整合技术，因此长鑫存储无需自行研发全新技术。今年早些时候，晶方科技展示了其专为HBM设计的XDFOI高密度扇出封装解决方案。另有消息称，通富微电正与中国某主要DRAM制造商合作开展HBM相关项目，推测合作对象即为长鑫存储。

国产HBM技术的需求紧迫。中国企业在开发AI GPU时，目前仅能采用HBM2技术，但HBM2并非在国产。例如，天数智芯的天垓100 GPU和燧原科技的C系列GPU分别配置了32GB和64GB的HBM2，而HBM2并不在国内生产。

这项巨额投资是中国加强半导体产业整体能力，尤其是先进封装技术领域的重要组成部分。尽管其最终是否能取得经济效益尚待观察，但鉴于美国的禁令，别无选择，只能建立起国产HBM供应链，以此来应对技术封锁，确保技术自主权和产业链安全。

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