MOSFET 的电压控制机理是利用栅极电压的 大小改变感应电场生成的导电沟道的厚度（感生电荷的多少），来控制漏极电流 Id 的。从图1（b）中可 以看出，当栅极电压 V gs小于开启电压 V th时，无论 V ds的极性如何，两个 PN 结中，总有一个 PN 结是 反向偏置的，因此漏极电流 Id 几乎为零，这种情况 下形成耗尽层，MOSFET 不导通。当栅极电压 V gs 大于开启电压 V th时，漏极和源极之间形成 N 型沟道，由于 N 型沟道的电阻很小，故在漏源正电压 V ds 的作用下，电子从源极流向漏极，或者说，正电荷从漏极流向源极，这就是通常采用的 MOSFET正向导电特性。 事实上，可以看出，栅极电压 V gs的作用仅仅是 在于形成漏极和源极之间的 N 型导电沟道，而 N 型 导电沟道相当于一个无极性的等效电阻。因而从理论上分析，若改变漏源极的电压极性，即漏源极加反向电压，电子会反向从漏极流向源极，正电荷将从源极流向漏极，实现 MOSFET反向导电特性。从以上分析可知，MOSFET 实际上是一个双向导电器。

        非正常理解：MOSFET的导通特性呈现电阻性，电阻是双端器件，所以MOSFET可以双向导通。

参考文献：

[1]胡宗波,张波.同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究[J].中国电机工程学报,2002,(03):89-94.DOI:10.13334/j.0258-8013.pcsee.2002.03.018.