光耦是将发光二极管（LED）和光电探测器集成于一个封装中的器件。
光耦的作用
在光耦中，一次侧（LED 侧）和二次侧（受光器件侧）是电绝缘的。因此，即使一次侧和二次侧的电位（甚至 GND 电位）不同，也可以将一次侧电信号传输到次级侧。光耦将两端电路隔离开来。
参考与致谢
- 分立半导体器件 - 第 Ⅴ 章：光半导体
- 光耦的参数有哪些 光耦参数如何理解
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光耦的参数
LED 侧：
- 正向工作电压 Vf（Forward Voltage）：Vf 是指在给定的工作电流下，LED 本身的压降。常见的小功率 LED 通常以 If=20mA 来测试正向工作电压，当然不同的 LED，测试条件和测试结果也会不一样。
- 反向电压 Vr（Reverse Voltage）：指 LED 所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏 LED。在使用交流脉冲驱动 LED 时，要特别注意不要超过反向电压。
- 反向电流 Ir（Reverse Current）：通常指在最大反向电压情况下，流过 LED 的反向电流。
- 允许功耗 Pd（Maximum Power Dissipation）：LED 所能承受的最大功耗值。超过此功耗，可能会损坏 LED。
- 中心波长 λp（Peak Wave Length）：是指 LED 所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色 LED，会有几个不同的中心波长值。
- 正向工作电流 If（Forward Current）：If 是指 LED 正常发光时所流过的正向电流值。不同的 LED，其允许流过的最大电流也会不一样。
- 正向脉冲工作电流 Ifp（Peak Forward Current）：Ifp 是指流过 LED 的正向脉冲电流值。为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动 LED，通常 LED 规格书中给中的 Ifp 是以 0.1ms 脉冲宽度，占空比为 1/10 的脉冲电流来计算的。
光敏三极管侧：
- 集电极电流 Ic（Collector Current），光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。
- 集电极 - 发射极电压 Vceo（C-E Voltage），集电极 - 发射极所能承受的电压。
- 发射极 - 集电极电压 Veco（E-C Voltage），发射极 - 集电极所能承受的电压。
- 反向截止电流 Iceo
- C-E 饱和电压 Vce (sat)（C-E Saturation Voltage）
传输特性：
- 电流传输比 CTR（Current Transfer Radio）：通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流 IC 与直流输入电流 IF 的百分比。
- 上升时间 Tr （Rise Time）& 下降时间 Tf（Fall Time）
隔离特性：
- 入出间隔离电压 Vio（Isolation Voltage），光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。
- 入出间隔离电容 Cio（Isolation Capacitance），光耦合器件输入端和输出端之间的电容值
- 入出间隔离电阻 Rio：（Isolation Resistance），半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。
