电容、电阻、二极管和三极管的分类

目录

一、电容

1、符号

2、关键参数

(1)容值

(2)封装

(3)精度

 (4)耐压值(额定电压)

3、作用

(1)储能

(2)滤波

(3)隔直通交

二、电阻

1、符号

2、关键参数

(1)阻值

(2)封装

(3)精度

三、电感

1、符号

2、参数

3、作用

四、二极管

1、发光二极管

2、稳压二极管(齐纳二极管)

(1)符号

(2)工作原理

(3)重要参数

五、三极管

1、PNP和NPN(双极性晶体管)导通条件

 六、晶体管

1、 PMOS和NMOS管

(1)导通条件

(2)辨别PMOS和NMOS

(3)辨别是PMOS还是NMOS

 (4)主要应用场景

 (5)mos管和三极管的区别


一、电容

1、符号

2、关键参数

(1)容值

容值:231=230(“231”前两位是有效数字,“1”表示“23”后边的“0”的个数)

          235=2300000(“231”前两位是有效数字,“5”表示“23”后边的“0”的个数)

单位换算:

常用的单位是F、pF

1F=1000mF    1mF=1000uF    1uF=1000nF   1nF=1000pF

(2)封装

  • 0402
  • 0805
  • 2010 

(3)精度

 常规10%

 (4)耐压值(额定电压)

 常规50v

3、作用

(1)储能

闭合开关,电容充电;断开开关,电容上的电压仍为5V

类似一个蓄水池,在用电器需要大规模用电的瞬间,可以将储存的电能释放出去 

(比如电机在启动的瞬间需要一个大电流才能工作起来,这个时候已有的电源无法提供这个很大的电流,这时候就需要一个大电容充当蓄水池去释放大电流)

(2)滤波

并联电容可以将开关电源上的电源纹波减小

小电容0.1uF滤高频干扰信号,大电容滤低频干扰信号,如下所示:

(3)隔直通交

二、电阻

1、符号

2、关键参数

(1)阻值

 2k7Ω(R)=2700Ω(R)=2.7KΩ(R)

单位:1MΩ=10^3KΩ

           1KΩ=10^3Ω

            1Ω=10^3mΩ

(2)封装

  • 0402
  • 0805
  • 2010 

不同体积的电阻的最大承受的耐压值和功率是不同的,体积越大,功率和耐压越高 

电阻封装尺寸与功率关系:

通常来说:

电阻封装尺寸与功率的关系
封装功率
02011/20W
04021/16W
06031/10W
08051/8W
12061/4W 

(3)精度

常规 5%

三、电感

1、符号

其他符号

2、参数

(1)单位:L(亨)

1H=1000mH   1mH =1000uH    1uH=1000nH

常用单位:uH

3、作用

四、二极管

贴片式二极管的正负极判断

1、发光二极管

led 灯的亮度与流过流过led灯的电流有关,电流越大,led灯越亮。
led灯的正常工作的电流范围大约0~20mA,不同的led的电流不同。

2、稳压二极管(齐纳二极管)

(1)符号

(2)工作原理

主要是反向特性区域:

稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。

  • 状态①: 正向偏置状态。此状态下,稳压二极管的特性表现为普通二极管的特性,即:随着正向偏压的提高,正向电流变化很大、很陡!但由于Vf(0.3V~0.7V左右)很小,此正向偏置状态基本无使用价值。需要注意的是,不同的稳压二极管的正向压降是不同的。

  • 状态②: 反向偏置状态。此状态下,当反向电压没达到Vz之前,稳压二极管基本没导通;而当反向偏压接近Vz值时,稳压二极管开始导通,产生Ir电流。随着反向偏压的提高,反向电流Ir也会激烈变化得很大、很陡!尽管电流在很大的范围内变化,而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近,从而实现了二极管的稳压功能图中的黄色区域(击穿区)就是稳压二极管的正常工作状态,通常此区域对应的Vr区间范围很小,此电压就是稳压二极管的工作点、稳压值。

和二极管区别

  1. 二极管一般在正向电压下工作,稳压管则在反向击穿状态下工作,二者用法不同;
  2. 普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上,高的可达几百伏至上千伏,而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡,即反向击穿电压的范围较大,动态电阻也比较大。对于稳压管,当反向电压超过其工作电压Vz(亦称齐纳电压或稳定电压)时,反向电流将突然增大,而器件两端的电压基本保持恒定。对应的反向伏安特性曲线非常陡,动态电阻很小。稳压管可用作稳压器、电压基准、过压保护、电平转换器等。
  3. 同时稳压管的反向击穿是可逆的。即失去反向电压后,稳压管又继续恢复正常的工作 。只要在承受反向电压的时候,反向电流不超过所允许的最大范围,稳压管就不会发生热击穿而损坏。

(3)重要参数

  • 稳定电压Uz

稳压管反向击穿后稳定工作时的电压值称为稳定电压。

  • 稳定电流Iz

稳压管反向击穿后稳定工作时的反向电流称为稳定电流。稳压管允许通过的最大反向电流称为最大稳定电流,使用稳压管时,工作电流不能超过,一般按大于2倍输出电压来设计;

五、三极管

1、PNP和NPN(双极性晶体管)导通条件

 六、晶体管

1、 PMOS和NMOS管

NMOS与PMOS的导通条件与使用方法_nmos管什么时候导通-CSDN博客

 【知识】5分钟搞明白 三极管和mos管的区别_哔哩哔哩_bilibili推荐

(1)导通条件

(2)辨别PMOS和NMOS

  • G极(gate)—栅极,不用说比较好认
  • S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
  • D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边

(3)辨别是PMOS还是NMOS

如下图,主要是判断mos管中间的箭头方向:

  • 箭头朝向G极是N通道MOS管;
  • 箭头指向G极相反方向的是P通道MOS管;

 (4)主要应用场景

  • 对于灯泡、电机这类无缘功率器件,可以使用NMOS放在靠近GND的方法;
  • 对于芯片这类有源器件,一般将PMOS管放在靠近电源的一端;

如下图所示:

a、使用PMOS控制芯片的话,PMOS靠近电源放置

 (5)mos管和三极管的区别

  • mos管是电压控制的原件,三极管是电流控制的原件;
  • nMOS比pMOS便宜,mos管比三极管便宜,而且mos管比较省电,是因为它能直接控制大功率器件;
  • 大部分场景下,三极管逐渐被mos管替代;                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                      

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