图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的电位上。在图3.3.1给出的符号中，用D S间断开的线段表示Vcs=0时没有导电。

沟道，即 MOS管为增强型。衬底 B 上的箭头指向 MOS管内部，表示导电沟道为N型。栅极引出端画在靠近源极一侧。2. P沟道增强型

图3.3.6 是 P 沟道增强型 MOS 管的结构示意图和符号。它采用 N 型衬底，导电沟道为 P型。vGS=0时不存在导电沟道，只有在栅极上加以足够大的负电压时，才能把 N型衬底中的少数载流子——空穴吸引到栅极下面的衬底表面，形成P型的导电沟道。因此，P沟道增强型 MOS管的开启电压Vcs(x)为负值。这种MOS管工作时使用负电源，同时需将衬底接源极或接至系统的电位上。

P 沟道增强型 MOS 管的符号如图3.3.6中所示，其中衬底上指向外部的箭头表示导电沟道为 P型。

用P 沟道增强型 MOS 管接成的开关电路如图3.3.8所示。

当 v =0时，MOS 管不导通，输出为低电平。VoL。只要 R 远小于 MOS管的截止内阻.RorF,则。VoL= VvD。

当v1<VCS(kb)时，MOS 管导通，输出为高电平。VoH。只要 R 远大于 MOS 管的导通内阻. R ,则。VoH=0。

1. N沟道耗尽型

N 沟道耗尽型 MOS 管的结构形式与 N 沟道增强型 MOS管的相同，都采用P 型衬底，导电沟道为 N型。所不同的是在耗尽VpD型 MOS 管中，栅极下面的二氧化硅绝缘层中掺进RD了一定浓度的正离子。这些正离子所形成的电场足以将衬底中的少数载流子——电子吸引到栅极下面的衬底表面，在 D-S 间形成导电沟道。因 v i 此，在vCS=0时就已经有导电沟道存在了。vC3为增大； 为负时导电沟道 v 正时导电沟道变宽， i vGS变窄， i 减小。

直到 v 小于某一个负电压值VcS(eff)时，导电沟道才消失，MOS 管截止。V6S(eff)图3.3.8 用 P沟道增强型称为 N 沟道耗尽型 MOS管的夹断电压。 MOS管接成的开关电路图3.3.9是 N沟道耗尽型 MOS 管的符号,图中 D-S间是连通的，表示vCS=0时已有导电沟道存在。其余部分的画法和增强型 MOS 管相同。在正常工作时，N沟道耗尽型 MOS管的衬底同样应接至源极或系统的电位上。

2. P 沟道耗尽型

P 沟道耗尽型 MOS管与 P 沟道增强型 MOS 管的结构形式相同，也是 N 型衬底，导电沟道为 P 型。所不同的是在 P 沟道耗尽型 MOS管中，vcs=0时已经vCs有导电沟道存在了。当 vcs为负时导电沟道进一步加宽， i 的增加；而vCS为正时导电沟道变窄， i 的减小。当( v 的正电压大于夹断电压Vcs(odf)时，导电沟道消失，管子截止。

图3.3.10 是 P 沟道耗尽型 MOS 管的符号。工作时应将它的衬底和源极相连，或将衬底接至系统的电位上。