在2022年的技术日上，三星公布了一项宏伟目标，即到2030年推出层数超过1000层的先进NAND芯片。据Wccftech报道，这家韩国存储巨头似乎正逐步接近这一目标，计划在NAND芯片制造中应用新型“铁电”材料。

最近美国火奴鲁鲁举行的VLSI技术研讨会上，来自韩国科学技术院（KAIST）电气工程系的一名博士生分享了“铪尼亚铁电体”如何成为实现低电压与QLC 3D V-NAND（超过1000层的实验演示和建模）的关键促成因素。金属带中的电荷俘获与铁电开关效应之间的相互作用能最大化这两种效应的“正反馈”，从而实现低工作电压、宽存储窗口，并在9V偏压下几乎无干扰。

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尽管三星并未直接参与研发过程，但据Wccftech称，这些研究人员与公司有直接联系。这一消息紧随三星今年4月的官方声明，确认已开始大规模生产第九代垂直NAND（V-NAND），单层容量达1Tb，采用三层单元（TLC）结构。据《韩国经济日报》报道，这一代产品相比第八代在位密度上提高了约50%，层数达到了290层。报道引用行业内部消息称，三星未来的第十代V-NAND预计将达到430层，计划于明年发布。

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如果新型铁电材料研发顺利，NAND芯片的堆叠层数有望突破1000层大关。

在此之前，美光（Micron）和SK海力士等主要存储巨头已相继突破200层的里程碑。美光实现了232层，每平方毫米存储密度为19.5Gb；而SK海力士则达到了238层，每平方毫米存储密度为14.4Gb。

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今年5月初，韩国媒体TheElec还透露，SK海力士正在探索在超低温下制造3D NAND的可能性，这将借助东京电子（TEL）的技术帮助，使其新一代产品能够拥有超过400层的堆叠。

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