知 识星球（星球名： 芯片制造与封测社区，星球号： 63559049）里的学员问： 我看 到一本书上 说刻蚀SiO2需要C，这个C会和SiO2中的O结合。 较弱的 si和f结合从而被刻蚀。 但是另一本书上写SiO2刻蚀是因为离子轰击打断了Si=O键才造成刻蚀，这两个说法哪个正确？

化学反应的本质？化学反应的本质是旧键的断裂与新键的生成。化学反应消耗了反应物，产生了生成物，实现了物质的转化，详细过程为：原有的化学键在吸收足够的能量后断裂；原子在空间中重新定位，寻找新的结合原子；新的化学键形成，形成产物。化学反应是朝着更稳定的状态进行。 氧化硅与CF4的化学反应方程式？SiO2+CF4--->SiF4+CO2+CO

问题中的哪种说法正确？
这两种描述的是干法刻蚀的两种不同阶段，都是正确的。等离子轰击打断了Si=O键，这个是物理作用多一些，通过将Ar气通入腔室种形成等离子体，等离子体在偏压的吸引下，具有很高的动能，轰击SiO2的Si=O键。之后C会和被打散的O结合，生成C=O键，这一步是化学作用多一些。一般rie是同时具有这两种作用，既有物理作用又有化学作用。

欢迎加入我的半导体制造知识社区，答疑解惑，上千个半导体行业资料共享，内容比文章丰富很多很多，适合快速提升个人能力，介绍如下：》