知识星球(星球名:芯片制造与封测社区)里的学员问:diffusion工序,所需要的气体种类有哪些?
Diffusion是什么工序? "Diffusion"工序是通过热能将掺杂剂原子扩散到硅片中,以形成p型或n型硅。掺杂在半导体制造中有离子注入与扩散两个工序。扩散是用扩散炉来完成工艺,离子注入工序则需要离子注入机。扩散主要的工艺参数有:温度,时间,气体种类及流量等。 Diffusion气体的分类依据? 掺杂工序主要掺杂的是ⅢA族与ⅤA族元素,掺ⅢA族元素形成P型硅,掺ⅤA族元素形成N型硅;有时也会掺杂一些四价的Ge,六价的碲(Te),硫。从元素周期表中可以看到:用于形成P型硅的常见元素为:硼(B)
用于形成N型硅的常见元素为:磷(P),砷(As),锑(Sb)其他元素:Ge,Te,硫
因此,围绕这些元素,我们需要找到能够提供这些元素的物质。一般我们会选择这些元素的氢化物,氯化物,烃基化物等,如磷化氢(PH3):用于n型掺杂。乙硼烷(B2H6):用于p型掺杂。氢化锗(GeH4):用作掺杂前体或用于沉积锗薄膜。三氯化砷(AsCl3):用于n型掺杂。三氟化砷(AsF3):用于n型掺杂。硫化氢(H2S):用于掺硫制备n型半导体材料。氟化硼(BF3):用于p型掺杂。三氯化硼(BCl3):用于p型掺杂。氢化硒(SeH2):用于掺杂或沉积硒化物。氢化锑(SbH3):用于n型掺杂。二甲基碲((CH3)2Te):用于掺杂或沉积碲化物。二甲基镉((CH3)2Cd):用于掺杂或沉积镉化物。二乙基镉((C2H5)2Cd):用于掺杂或沉积镉化物。三氯化磷(PCl3):用于n型掺杂。二乙基碲((C2H5)2Te):用于掺杂或沉积碲化物。砷化氢(AsH3):用于n型掺杂。 为什么选择的氢化物较多?1,氢化物在硅中的扩散能力较强,能够在较低的扩散温度下有效地掺杂2,氢化物具有较高的挥发性。3,受热易分解 欢迎加入我的半导体制造知识社区,答疑解惑,,内容比文章丰富很多很多,适合快速提升个人能力,介绍如下:》 目前社区已有1300人,下周要从现价涨到299,有需求的朋友留意。
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用于形成N型硅的常见元素为:磷(P),砷(As),锑(Sb)其他元素:Ge,Te,硫
因此,围绕这些元素,我们需要找到能够提供这些元素的物质。一般我们会选择这些元素的氢化物,氯化物,烃基化物等,如磷化氢(PH3):用于n型掺杂。乙硼烷(B2H6):用于p型掺杂。氢化锗(GeH4):用作掺杂前体或用于沉积锗薄膜。三氯化砷(AsCl3):用于n型掺杂。三氟化砷(AsF3):用于n型掺杂。硫化氢(H2S):用于掺硫制备n型半导体材料。氟化硼(BF3):用于p型掺杂。三氯化硼(BCl3):用于p型掺杂。氢化硒(SeH2):用于掺杂或沉积硒化物。氢化锑(SbH3):用于n型掺杂。二甲基碲((CH3)2Te):用于掺杂或沉积碲化物。二甲基镉((CH3)2Cd):用于掺杂或沉积镉化物。二乙基镉((C2H5)2Cd):用于掺杂或沉积镉化物。三氯化磷(PCl3):用于n型掺杂。二乙基碲((C2H5)2Te):用于掺杂或沉积碲化物。砷化氢(AsH3):用于n型掺杂。 为什么选择的氢化物较多?1,氢化物在硅中的扩散能力较强,能够在较低的扩散温度下有效地掺杂2,氢化物具有较高的挥发性。3,受热易分解 欢迎加入我的半导体制造知识社区,答疑解惑,,内容比文章丰富很多很多,适合快速提升个人能力,介绍如下:》 目前社区已有1300人,下周要从现价涨到299,有需求的朋友留意。