1. 前言
为了让客户在原理图设计阶段少走弯路，我这里结合客户评估和设计阶段常遇到的问题，整理了一下 BlueNRG-1/-2 相关设计及注意事项以备客户解惑用。
2. BlueNRG-1/-2 的原理图参数说明及设计注意事项
2.1. BlueNRG-1/-2 原理图及参数如下：
图1.IDB007V1_schematic
图2.IDB008V2_schematic
表1. 基于 BlueNRG-1/2 板子的元器件说明
2.2. 原理图设计注意事项：
- C4 的取值只能是 150nf 或者 220nf，否则会影响系统的稳定。
- 设计成 SMPS ON 的是时候，D1 中的 pin1 和 pin2 之间焊接一颗电感，该电感的具体要求如下：标称值为 10 uH 或 4.7 uH ，但 DCR 务必小于 1ohm 且额定电流必须大于 100 mA。
- RXD/TXD 必须接到 DIO11 和 DIO08 pin，否则后续将无法使用 RF Flash utility 工具和 BlueNRG GUI 工具。
- 这里的 L1=2nH，L5=3.9nH 建议保留,这有助于抑制最后通道的杂散并减少晶体和RF 信号间的相互影响。
- 建议预留 ANATEST0 pin 和 ANATEST1 pin 的测试点，以便后续测试高速晶体的启振时间。
- DIO7 建议通过 100kohm 电阻接地并预留测试点：为强制执行 updater 代码(参见预先编程的引导加载程序)，建议将 IO7 引脚拉高并硬件复位设备。
3. BlueNRG-LP/LPS 的原理图参数说明及设计注意事项
3.1. BlueNRG-LP 原理图及参数如下：
图3.IDB011V1_schematic
图4.IDB011V2_schematic
3.2. BlueNRG-LPS 原理图及参数说明如下：
图5.IDB012V1_schematic
表2. 基于 BlueNRG-LP/LPS 板子的元器件说明
3.3. 原理图设计注意事项：
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CAP 的取值只能是 150nf 或者 220nf，否则会影响系统的稳定。
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设计成 SMPS ON 的是时候，D1 中的 pin1 和 pin2 之间焊接一颗电感，该电感的具体要求如下：标称值为 10 uH 或 2.2 uH 或 1.5uH，但 DCR 务必小于 1ohm 且额定电流必须大于 100 mA。
表3.SMPS BOM information
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对于 BlueNRG-LP 芯片 RXD/TXD 必须接到 PA8 和 PA9 pin，而对于 BlueNRGLPS 芯片 RXD/TXD 必须接到 PB0 和 PA1 pin。否则，后续将无法使用 RF Flash utility 工具和 BlueNRG GUI 工具。
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实际应用中 Q1(32KHZ 晶体)可以省略，Q2(32MHZ 晶体)需符合 Fnom=32Mhz，fTOL建议选择±20ppm， PD 不要超过 100uW，CL 选用 6~8pf 的。
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建议预留 VCAP 和 PB6 pin 的测试点，以便后续测试高速晶体的启振时间。
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PA10 建议预留测试点。
4. 小结
为方便客户、代理 FAE 更好地理解 DEMO 板的原理图，以便客户项目顺利进行， 以及方便后续的测试和调试，这里特意分享以上章节针对不同 DEMO 板的原理图和设计事项做了说明。
参考文献
本文档参考ST官方的《【应用笔记】LAT1235+BlueNRG-X原理图参数说明》文档。
参考下载地址：https://download.csdn.net/download/u014319604/89156567
