目录
一、基本门电路 （Gate Cricuit）
1.与电路
2.或电路
3.非电路
二、复合门电路 （Composite gate circuit）
1.与非门
2.或非门
3.与或非门
4.异或门
5.同或门
三、CMOS门电路 (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)
1.CMOS集成电路的性能及特点
2.应用
四、CMOS与非门和或非门电路 输出缓冲器（Output Buffer）
五、漏极开路输出门电路（OD门） （Open-Drain Output）
六、CMOS传输门 传输门(Transmission Gate)
七、三态输出的CMOS门电路 高阻态（High-Impedance State）
八、CMOS集成电路的闩（shuān）锁效应
1.什么是闩锁效应
2.输入电路的过流保护
3.CMOS电路锁定效应的防护
九、常见类型的TTL门电路
1.与非门
2.多发射极三极管
3.或非门
4.与或非门
5.异或门
6.OC门和线与
7.反相器
8.三态门
一、基本门电路 （Gate Cricuit）
概念：
用以实现基本逻辑和复合逻辑运算的单元电路称为门电路，或逻辑门
正逻辑：用高电平表示逻辑1，用低电平表示逻辑0
负逻辑：用低电平表示逻辑1，用高电平表示逻辑0
1.与电路
与（AND） 符号：“·” Y=A·B
2.或电路
或（OR） 符号：“+” Y=A+B
3.非电路
非（NOT）符号：“ ' 或 ￣ ” Y=A'
二、复合门电路 （Composite gate circuit）
复合门电路又称组合门电路，由基本门电路组合而成
1.与非门
2.或非门
3.与或非门
4.异或门
5.同或门
三、CMOS门电路 (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)
CMOS集成门电路简称CMOS门电路，以金属-氧化物-半导体场效应晶体管 （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）作为开关器件。 他由PMOS场效应管和NMOS场效应管以互补对称的形式组成
1.CMOS集成电路的性能及特点
- 功耗低
- 工作电压范围宽
- 逻辑摆幅大
- 抗干扰能力强
- 输入阻抗高
- 温度稳定性能好
- 扇出能力强
- 抗辐射能力强
2.应用
四、CMOS与非门和或非门电路 输出缓冲器（Output Buffer）
布尔代数中的最重要的两个定律—反演律，也叫做德.摩根定理
五、漏极开路输出门电路（OD门） （Open-Drain Output）
为了满足输出电平变换、吸收大负载电流以及实现线与连接等需求，有时将输出级电路结构改成一个漏级开路输出的MOS管，构成漏级开路输出门电路。
线与的概念：即两个输出端（包括两个以上）直接互连就可以实现“AND”的逻辑功能，常见有I2C
六、CMOS传输门 传输门(Transmission Gate)
CMOS传输门是一种由控制信号来控制电路通断的门电路，利用PMOS和NMOS的互补性组成
异或门：
模拟开关：
七、三态输出的CMOS门电路 高阻态（High-Impedance State）
三态输出门电路的输出除了高、低电平外，还有第三个状态-高阻态。 因这种电路结构总是接在集成电路的输出端，所以也将这种电路称为 输出缓冲器。
八、CMOS集成电路的闩（shuān）锁效应
1.什么是闩锁效应
锁定效应（Latch-Up）也称可控硅效应（Silicon Controlled Rectifer）是CMOS电路中一个特有的问题。
详解可看：闩锁效应（Latch-up）详解 - 知乎 (zhihu.com)
2.输入电路的过流保护
3.CMOS电路锁定效应的防护
九、常见类型的TTL门电路
1.与非门
2.多发射极三极管
3.或非门
4.与或非门
5.异或门
6.OC门和线与
7.反相器
8.三态门
