3.1 NOR Flash选型

容量：容量大小一般是我们首先要考虑的因素，Flash的大小一般用bit表示，容量范围涵盖512Kb~512Mb。例如型号GD25Q64C容量就为64Mb=8MB。

供电电压：Nor Flash的供电电压一般分为四种：2.7V~3.6V，2.3V~3.6V、1.65V~2.0V、1.65V~3.6V，电压的选择会考虑系统的供电电压、功耗的因素。

SPI接口：一般分为标准SPI(Standard SPI)、双线SPI(Dual SPI)、四线SPI(Quad SPI)。Dual SPI和Quad SPI的传输速度分别为标准SPI的两倍和四倍。标准SPI一个时钟传送1个bit，Dual SPI传送2个bit，Quad SPI传送4个bit。Dual SPI和Quad SPI通常需要MCU要有相应资源的支持。

温度：分为了商业级(0~+70℃)、工业级(-40℃~+85℃)、汽车级(-40℃~+125℃)。兆易的GD25系列已通过AEC-Q100车规认证。

封装：考虑到我们具体的应用场景，一般会考虑产品中是否有足够的空间放置Flash芯片，常见的封装见下图，兆易的1.5*1.5mm的USON8封装可以满足在空间极小情况下的Flash应用。

 功耗：1.8V供电的Flash功耗要小于3V供电的Flash，宽电压的1.65V~3.6V供电的Flash功耗要小于2.7V~3.6V供电的Flash。功耗除了和芯片本身相关，还和MCU的工作频率、SPI的速度、是否启动了Flash的低功耗模式等多种因素相关。

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选型思考：

NorFlash和NandFlash在项目评估中如何选择,有哪些维度？

首先，最好是Soc厂商支持列表上的芯片，然后参考以下角度。

NorFlash 的优势：

读取速度快：NorFlash 具有快速的随机读取速度，使其适用于 XIP（就地执行）启动模式，在这种模式下，程序直接从闪存中执行。

易于使用：NorFlash 易于与微控制器接口，并具有简单的命令集，使其易于集成到系统中。

高可靠性：NorFlash具有高度的可靠性和稳定性，适合在关键系统中使用。

低功耗：NorFlash 功耗极低，适合用于电池供电设备。

NorFlash 的缺点：

写入速度慢：NorFlash 写入速度慢，不适合需要频繁写入的应用程序。

昂贵：与 Nand Flash 相比，NorFlash 更昂贵。

Nand闪存的优点：

大容量：Nand Flash存储容量大，适合存储大量数据。
低成本：与 NorFlash 相比，Nand Flash 更便宜，因此对于存储容量很重要的应用来说更具成本效益。
写入速度快：Nand Flash写入速度快，适合需要频繁写入的应用。
Nand Flash的缺点：

接口复杂：Nand Flash接口和命令集复杂，难以与微控制器接口。
可靠性有限：Nand 闪存的可靠性和稳定性水平有限，因此不适合在关键系统中使用。
需要额外的组件：Nand 闪存需要额外的组件，例如闪存控制器，以与微控制器接口，增加了系统的成本和复杂性。
读取速度慢：Nand Flash 随机读取速度慢，不适合 XIP 启动模式。
主要还是看，没有资源冲突不影响性能的情况下，哪个便宜用哪个。

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