SA2601A是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达600V电压下工作。
SA2601A内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
SA2601A输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑，上下管延时匹配最大为50ns，驱动能力为+0.3A/-0.6A.
SA2601A采用SOP8封装。
SA2601A特性：
悬浮绝对 电压600V
电源电压工作 范围:10.0-20.0V，
兼容3.3/5/15V输入逻辑，
驱动电流:+0.3AJ 0.6A(typ.) ，
延时匹配时 间: 50ns，
集成VCC和VBS欠压 保护SOP8封装。
SA2601A典型应用
马达驱动
逆变器电源
LLC电源
提供样品，技术支持—三佛科技
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栅极驱动器芯片是电源管理芯片中的重要组成部分，它能够驱动功率MOSFET的栅极，控制电源的开关。其可分为单路、多路、高低侧驱动等类型，根据应用场景和控制模式的不同，选择不同类型的栅极驱动器芯片可以实现电源的控制和调节，从而满足不同电子设备的需求。
单路栅极驱动器芯片常用于单相交流电源的变换器中，通过对MOSFET栅极的控制，实现电源的开关和电压的变换。这种芯片控制简单，成本低，可靠性高，适合于低功率、小型化的电源转换器，如手机充电器、数码相机电源等。
