芯片的制造详解(1)——沙子到晶圆

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up:谈三圈(2021/8月内容)

芯片的制造流程、工艺、设备
面临困境:
国产芯片卡脖子的地方:制造芯片(制造过程中的一系列设备和和材料)包括但不限于:光刻机、光刻胶、薄膜沉积设备、离子注入机等等

用沙子制造芯片的基本流程:(sand to silicon the making of a chip)
目前主流芯片是硅基芯片,在地壳中含量高达26.3%,仅次于氧,硅和氧一起组成自然界随处可见的沙子(SiO2),再通过提纯和直拉法取出一根硅棒,对硅棒进行切割、研磨和抛光,得到硅片。
硅片
再送往晶圆厂,通过光刻蚀刻,雕刻出晶体管的物理结构,并通过离子注入覆膜等手段,赋予其电特性,电子器件及其对应的逻辑电路在不断重复的工序中成型,成为一张晶圆上的数百枚芯片。
有芯片的硅片
最后切割分离并进行封装测试,
切割分离
芯片制造
完成芯片的制造。
关于关键步骤和关键难点,再对比国内外的差距。

沙子的选用:不是河沙,硅含量更高的硅石,主要成分和沙子一样SiO2。
硅棒的制作
硅锭的制作:坩埚(矿热炉、电弧电炉),通常直径为12m,材质为石墨。
坩埚
中间有两根三米长的石墨电极用来加热
电弧电炉
石墨和钻石一样是碳的同素异形体,熔点高达3800摄氏度,膨胀系数很小。
在坩埚中放入约60吨左右的硅石+25吨的煤炭和木屑,在2000摄氏度的高温作用下,SiO2逐渐融化,并与碳元素产生化学反应----还原反应
在这里插入图片描述
主反应,次反应发生在炉底。
SiC:第三代半导体,功率元器件的高端奢侈品。
如果炉内SiO2的含量够高,SiC可以作为中间产物,
含量足够高
冶炼出的硅液经过冷凝得到相对纯洁的硅锭,98%-99%冶炼级工业硅,含有少量铁和铝等杂质
我国是工业硅产量最高的国家。
在这里插入图片描述
工业门类齐全。炼硅的成本有40%是电热炉消耗的电力,相对便宜的电价是我国产硅的有利条件。
对于半导体行业而言,99%的纯度远远不够,对于工业硅的提纯,业界主流的做法,借助氯化氢气体进行提纯,最早是西门子公司1955年开发出来的。-----Siemens-Verfahren(西门子法)
具体做法:将硅锭粉碎成渣,在325度的高温下,硅渣和HCl反应,生成目标产物的H2和三氯硅烷,这一步的杂质主要产生为SiHCl3,FeCl3,AlCl3,SiCl4等气体,
工业硅的提纯过程
利用这些气体不同的沸点,利用冷凝器和蒸馏塔对温度进行控制,分理出沸点较低的SiHCl3气体,
杂质气体和沸点
接下来将高纯度的SiHCl3还原成固态硅,
在1100摄氏度的高温环境中,通入氢气,
还原硅
其中只有硅是固态,在反应炉中会看到,黑色的硅慢慢生长出来。
硅
一周的时间积累250公斤左右的硅棒,99.99999999999%
产生的磨砂款多晶硅,整体由众多不规则的小晶体构成,
这个阶段生产的多晶硅可以用于光伏行业,比如制作太阳能组件和电池板,
生产多晶硅最多的是我国,占比高达69.2%。稳居世界第一,国内的龙头厂商,比如保利协鑫、新特能源、通威、大全,在持续扩产,德国瓦克之类的丢盔弃甲。
芯片需要的是晶格均匀连续、电学性质稳定的单晶硅,把磨砂款的多晶硅棒变成镜面款单晶硅,
这一步主流做法采用Czochralski process(柴可拉斯基法),又称为直拉法或者提拉法。(在溶液中拉出一根棒子)
在石英材质的坩埚中,加热融化上一步获得的高纯度多晶硅,石英的熔点约为1700摄氏度,硅的熔点1400摄氏度。
直拉法
温度控制在略高于硅的熔点,将一小条晶种(细小的单晶硅作为种子)浸入硅溶液再缓慢向上,旋转提拉,被拉出的硅溶液因为温度梯度下降会凝固成固态硅。
而此时硅的粗细和质量取决于工作温度、旋转速度和提拉速度。一个细节:在传统工艺里,大棒顶端往往有一段直径几毫米的脖子。
在这里插入图片描述
在晶种刚接触溶液时,一位内热冲击使晶种发生高频次滑移位错,导致最开始的一段出现晶体缺陷,所以在刚开始时,先用高速提拉(6mm/min),拉出一段10mm左右的脖子,让错位现象趋缓,直至完全消失后再降低速度,开始拉大直径的硅棒,此时凝固的硅棒和晶种一样是光滑的单晶硅。
细脖子的存在限制单晶硅的重量(拉一半断掉很尴尬),直径8英寸的硅棒6m,12英寸的硅棒拉1米5.
其他制作单晶硅的方法有:浮带法(Floating-zone process),又叫区域熔炼法,是在多晶硅棒上套上一个环形加热器,创造一个狭窄且可以平行移动的熔融区域,将硅棒分段熔融再凝固,
浮带法
利用固相和液相的杂质差,实现单晶硅的精炼和纯化,不使用坩埚,避免提拉法中因为容器带去的杂质成分。

直拉法的好处是可以在坩埚中直接掺杂,加入硼磷等材料,生产出与纯硅电学性质不同的杂质半导体,掺杂是芯片生产中一道重要的工序。
切成薄片就是制作芯片的原材料,生产晶圆的硅片。这一步拉出来的硅棒会决定晶圆的尺寸。
硅棒直径和最大提拉速度之间的关系,可以利用溶液、硅棒、辐射热量,三者之间的热平衡进行推算。
在这里插入图片描述
以12英寸的晶圆尺寸为例,单个晶圆越大,造出的芯片就越多,分摊下来的成本就越低,工艺难度和设备费用会直线上升,8英寸的晶圆厂花费16亿美元,12寸的场子花费30-40亿美元,现在完成了从沙子里取出一根硅棒,切成硅片,准备开始芯片的前端生产,切片本省经过滚磨、倒角、精研、背面粗糙,化学机械抛光(CMP,Chemical-Mechanical Polishing)
这些技术的门槛逐渐升高,精细加工的要求逐渐变态,在这一阶段开始,我国的产能占比和自主化程度下降,芯片的国产之路迎来首个被卡脖子的环节。
硅片市场控制在5家公司手中,日本的信越化工和胜高集团,台湾地区的环球晶圆,德国的Siltronic (世创),韩国的SK Siltron,控制了90%扽硅片供应。
在这里插入图片描述
基础学科和制造业,芯片设计的兴趣,早日做出在国际市场有竞争力的芯片。

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