我们经常看到，在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻用什么作用呢？
如上图开关电源，G串联电阻R13
这个电阻的作用有2个作用：限制G极电流，抑制振荡。
限制G极电流
MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充电，所有瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中，MOS管频繁的开启和关闭，那么就要更要考虑这个带来的影响了。
如上图，MOS管的寄生电容有三个，Cgs，Cgd，Cds
一般在MOS管规格书中，一般会标下面三个参数：Ciss，Coss，Crss，他们与寄生电容的关系如下：
Ciss=Cgs+Cgd
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
如以MOS管FDS2582为例：
Ciss=1290pF，可以看到，这个寄生电容是很可观的。
简单估算一下，假设Vgs=10V，dt=Tr(上升时间)=20ns ，Ciss=1290pF，那么可得G极在开关时的瞬间电流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。
在基极串联一个电阻，与Ciss形成一个RC充放电电路，可以减小瞬间电流值，不至于损毁MOS管的驱动芯片。
因为增加的这个电阻，会减缓MOS管的开启与通断时间，增加损耗，所以不能接太大。这也是为什么电阻是几欧姆或者几十欧姆的原因所在。
抑制振荡
MOS管接入电路，也会有引线产生的寄生电感的存在，与寄生电容一起，形成LC振荡电路。对于开关方波波形，是有很多频率成分存在的，那么很可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。
串联一个电阻，可以减小振荡电路的Q值，是振荡快速衰减，不至于引起电路故障。
如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小
MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。
栅极电阻阻值过大
MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速身高。
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