在电子设备和通信系统中,精确的频率源是至关重要的。晶振作为频率源的核心元件,其性能直接影响着整个系统的稳定性、可靠性和准确性。随着技术的不断发展,对晶振的性能要求也越来越高。晶发电子将探讨晶振的常用术语及其含义,帮助相关从业者更好地理解这一关键元件。
频率(Frequency)
频率是晶振产生振荡信号的周期性变化次数,单位是赫兹(Hz)。
频率稳定性(Stability)
稳定性是指晶振在工作过程中频率的变化情况,通常以ppm(parts per million)或ppb(parts per billion)来表示。
频率稳定度(Frequency Stability)
频率稳定度是指晶振输出信号的频率变化程度。高频率稳定度表示输出信号的频率变化非常小,晶振具有更好的时间计量能力。
温度稳定度(Temperature Stability)
温度稳定度是指晶振输出信号的频率随温度变化的程度。高温度稳定度意味着晶振在不同温度下能够保持较稳定的频率输出,适用于宽温度范围的应用。
年老化率(Aging/year)
是指晶振器在使用时间推移过程中,其频率逐渐发生变化的速度。随着晶振器的使用时间增加,由于内部材料的物理和化学变化,以及外界环境的影响,晶振器的频率可能会发生微小的漂移或变化。老化率描述了这种频率变化的速率。
较低的老化率表示晶振器频率变化缓慢,而较高的老化率表示频率变化较快。晶振器的老化率是一个重要指标,特别对于需要高精度时钟信号的应用,需要考虑晶振器的老化特性以确保系统的可靠性和准确性。
日波动(Daily fluctuation)
日稳定度(或称日波动):指晶振输出频率在24小时内的变化情况。通常用其最大变化的相对值来表示。
频率准确度(Frequency accuracy)
在规定条件下,晶振输出频率相对于标称频率的允许偏离值。常用其相对值表示。
负载特性LDR(Load Dependent Response)
晶振的负载特性是指晶振在工作时与外部电路的负载参数之间的关系,这些负载参数包括电容、电感和电阻等。晶振的负载特性还会影响其频率稳定性和可靠性,因此在使用时需要根据实际需求选择合适的负载参数。
开机特性(Warmup)
指开机后一段时间(如5分钟)的频率到开机后另一段时间(如1小时)的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。
重现特性(Retrace)
在规定试验温度下,以稳定条件工作的振荡器关机后保 持在规定的试验温度下一段规定的时间,然后再开机,重现性就是振荡器再开机后规定时刻的频率 与振荡器关机前的即刻频率之差。
负载电容(Load Capacitance)
负载电容是晶振所需的外部电容,用于调整晶振的共振频率和稳定性。选择适当的负载电容可以优化晶振的性能。
短期稳定度(Shortterm)
晶体振荡器的短期稳定性是衡量振荡器在短时间内频率变化的指标。通常测量时间为1至10秒,主要由振荡器电路中的电子元件产生的噪声引起。短期稳定性可以测量四个主要参数:艾伦方差(最常见的振荡器数据表中指定的),相位噪声,相位偏差的频谱密度,和分数频率偏差的频谱密度。
抖动(Jitter)
抖动反映的是数字信号偏离其理想位置的时间偏差。高频数字信号的 bit 周期都非常短,一般在几百 ps 甚至几十 ps,很小的抖动都会造成信号采样位置电平的变化,所以高频数字信号对于抖动都有严格的要求。
谐振电阻(Resonance Resistance)
是指晶振器在谐振频率下的电阻值。它由晶振器内部电路元件的阻性部分和外部电路连接的负载电阻共同组成。谐振电阻在调节振荡电路的阻尼效果方面起着重要作用,影响晶振器的性能和稳定性。选择合适的谐振电阻可以确保振荡器在谐振频率附近稳定工作。
相噪(Phase Noise)
相位噪声是晶振输出信号相位的瞬时波动或波动幅度。较低的相位噪声表示晶振具有更好的频率稳定性和较少的时钟抖动。相位噪声的大小可以用分贝(dBc)或dBc/Hz来表示,其中分贝是相对于载波频率的相对量度,而dBc/Hz则是相对于1Hz带宽的绝对量度。
储存温度范围(Storage Temperature Range)
晶振在未使用时可以安全存放的温度范围。该范围是指晶振可以在其中长期存放而不会受到损坏或性能下降的温度范围。一般而言,晶振的储存温度范围通常在-40°C至+85°C之间。超出该范围的温度可能会导致晶振内部材料的变脆、冻结、膨胀或失效,从而影响晶振的性能和可靠性。因此,在存储晶振时,应尽量遵守制造商提供的储存温度范围。
启动时间(Startup Time)
启动时间是指晶振从断电状态到达稳定工作状态所需的时间。启动时间取决于晶振的内部电路和特性。
驱动功率(Drive Level)
驱动功率是指晶振输出信号所能提供的最大输出功率。较高的驱动功率意味着晶振可以驱动更多的负载电路,适用于需要驱动复杂电路的应用。