NPN PNP SS8050 SS8550 S8050

SS8050的使用及引脚判断方法

今天讲的是NPN型三极管SS8050，主要分为以下几个方面：

一、前言

二、SS8050简介

三、NPN三极管与PNP三极管

四、三极管管脚识别方法

五、不拆卸三极管判断其好坏

六、S8050和SS8050的区别

七、三极管与MOS管的区别

八、总结

一、前言

半导体三极管(BJT)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。

二、SS8050简介

三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。

SS8050直插封装

图 1 SS8050直插封装

SS8050贴片封装

图 2 SS8050贴片封装

三、参数NPN型三极管和PNP型三极管

（1）NPN型三极管（SS8050）

NPN型三极管

图 3 NPN型三极管

电流关系：IE=IC+IB;

我们可以通过三个引脚对地的电压来得知三极管的状态：

当VC>VB>VE时，即发射极正偏，集电极反偏，三极管处于放大状态；

当VB>VC>VE时，即发射极正偏，集电极正偏，三极管处于饱和状态；

当VB<VE<VC时，即发射极反偏，集电极反偏，三极管处于截止状态；

(三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的，如果PN电压为正，则正偏，反之反偏)

（2）PNP型三极管（SS8550）

PNP型三极管.png

图 4 PNP型三极管

电流关系：IC=IE+IB;

我们可以通过三个引脚对地的电压来得知三极管的状态：

当VE>VB>VC时，即发射极正偏，集电极反偏，三极管处于放大状态；

当VE>VC>VB时，即发射极正偏，集电极正偏，三极管处于饱和状态；

当VB>VE>VC时，即发射极反偏，集电极反向，三极管处于截止状态；

(三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的，如果PN电压为正，则正偏，反之反偏)

四、三极管管脚识别方法

三极管内部结构

图 5 三极管内部结构

（a）判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较大，则被测三极管为NPN型管如8050，9014，9018。

（b）判定三极管集电极c和发射极e。（以PNP型三极管为例）将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔集电极c，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为基极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。

五、不拆卸三极管判断其好坏

在实际应用中，小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。

如果是像8050，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极，黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。(以上所说为用指针表所测，数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指针表相反的)

六、S8050和SS8050的区别

（1）功耗能不同。三极管S8050的功耗是0.625W（Tamb=25℃）；三极管SS8050的功耗是1W。功率是一样的

（2）集电流不同。三极管S8050的集电极电流为0.5A；三极管SS8050的集电极电流为1.5A。

（3）互补配对管型号不同。三极管S8050的互补配对管型号为S8550；三极管SS8050的互补配对管型号为SS8550。

（4）行内常称SS为原装进口，S为国产的。

七、三极管和MOS管的区别

（1）三极管是电流驱动，而MOS管是电压驱动，三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6V，锗材料三极管的死区电压一般为0.3V，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可，而对于锗材料的三极管来说只要高于0.3V左右即可。而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V到5V左右，最小的也要2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。

（2）了解三极管和MOS管在控制上的区别之后，那么单片机I/O口怎么控制三极管和MOS管呢？单片机一般采用5V或3.3V供电，其I/O口高电平为5V或3.3V，处理器一般讲究低功耗，如今使用3.3V供电的单片机较多，所以其I/O口高电平也只有3.3V。

（3）三极管为电流驱动，较低的电压就可以驱动三极管，而MOS管为电压驱动，驱动电压较高，单片机I/O口的电压不足以驱动MOS管，所以经常使用三极管作为缓冲改变电压，当然除了使用三极管之外还可以使用光耦等。