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• 复习提纲

1、静态逻辑设计和晶体管尺寸设计 
2、逻辑组合速度估算 
3、传输门规则和设计、动态pmos,nmos设计及输出波形 
4、第三章涉及的工艺流程 
5、时序电路的时序分析 
6、全加器和乘法器设计
7、非挥发存储单元设计和分析。
8、第五章计算题 
复习内容参考分段考核资料、课件和作业题。

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• // – 第3章 MOS集成电路中的元件形成及寄生效应 – //
• 光刻：涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀、去胶
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• // – 第5章 MOS晶体管基本原理与MOS反相器电路 – //
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• // – 第6章 CMOS静态逻辑门电路 – //
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• // – 第7章 传输门逻辑 – //
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• // – 第8章 时序逻辑电路 – //
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• // – 第9章 MOS逻辑功能部件 – //
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• // – 第10章 半导体存储器 – //
• <占个坑>
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实现细节

• 无

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参考示意图

• 阶段1
• 阶段2
• 阶段3
• 阶段4

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参考链接

• 无

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作者 | 乐意奥AI