全志R128硬件设计指南①

原理图设计

硬件系统框图

R128是一颗专为“音视频解码”而打造的全新高集成度 SoC，主要应用于智能物联和专用语音交互处理解决方案。

  • 单片集成 MCU+RISCV+DSP+CODEC+WIFI/BT+PMU，提供生态配套成熟、完善的用于系统、应用和网络连接开发的高效算力；
  • 集成 8MB/16MB/32MB PSRAM，为音视频解码、大容量存储、扫码以及网络连接提供充裕的高容量、高带宽的内存支持；
  • 拥有丰富的音频接口 IIS/PCM、OWA、DMIC、LINEOUT、MICIN 以及通用通讯接口 IIC、UART、SDIO、 SPI、ISO7816卡接口；同时支持 U 盘、SD卡、IR-TX/RX；
  • 内置 LDO、GPADC、LEDC，简化系统方案设计，降低 BOM成本。

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硬件系统基本工作原理

R128硬件系统基本工作流程如下：

  • 硬件系统正常上电，主控复位之后，CPU开始执行 BROM固化代码，对系统资源和关键外设进行配置及初始化，包括电源，时钟，总线，复位，存储接口等。
  • 根据配置，在 BROM阶段将系统初始化信息（串口、PSRAM等）从存储介质读取到系统 SRAM，进行芯片及系统的进一步详细配置和初始化工作；执行完 Boot0 程序后进入 boot 阶段。
  • 从外部存储介质中读取下一阶段需要的软件代码，启动操作系统，并对系统资源和外设进行管理。
  • 操作系统启动之后，根据产品不同需求加载相关启动，比如 USB、音频、WIFI、显示、蓝牙等模块，最终完成开机启动，进入普通操作界面。
  • 系统支持 watchdog 应用监视系统的运行，当程序跑飞或者发生死循环时，watchdog模块会发出一个复位信号，使 SOC复位，软件系统重新启动。

R128硬件系统组成如下表：

系统说明
CPU小系统时钟，复位，中断，系统配置
存储系统PSRAM，SPI NAND/SPI NOR/EMMC/SD CARD
音频系统MIC IN、FMIN、IIS/PCM/TDM、DMIC、LINEOUT
输入输出子系统RGB、SD CARD、USB OTG/HOST、TWI、UART、PWM、GPADC、TPADC、CSI、 IR TX/RX 等
电源系统DCDC、LDO
无线WIFI/BT
其他功放、LED

CPU小系统

R128 CPU小系统包括时钟系统，系统配置 PIN、复位系统和 Debug 部分。

时钟系统信号PIN说明

R128 硬件系统包含 DCXO 40M/RTC 32.768K 两个时钟，对应时钟信号说明如表所示。

信号名信号描述应用说明
HXTAL_INDCXO晶振输入默认使用 40M晶振，频率误差为 10PPM；
HXTAL_OUTDCXO晶振输出默认使用 40M晶振，频率误差为 10PPM；
LXTAL_IN32K晶振输入32.768K晶振电路，频率误差为 20PPM
LXTAL_OUT32K晶振输出32.768K晶振电路，频率误差为 20PPM

RTC 32.768K时钟可以从内部 RC振荡电路产生，可不使用外部 32K晶振。

小系统配置说明

R128小系统配置 PIN说明如表所示。

信号名信号说明应用说明
RESETsystem reset1，系统复位 PIN
2，Watchdog 输出 PIN
CHIP-PWDChip power down/System reset1，内部 PMU 下电控制 pin；
2，系统复位 pin
PA1/FEL0FEL功能选择 pin 0当[FEL0,FEL1]= 00时，SOC进入 FEL升级状态
PA2/FEL1FEL功能选择 pin 1当[FEL0,FEL1]= 00时，SOC进入 FEL升级状态
  • RESET和 CHIP-PWD均可实现系统复位功能，但 CHIP-PWD包含 R128内部 PMU掉电控制功能，可让R128实现上电复位功能。
  • RESET/CHIP-PWD信号上接下地电容默认为 1nF，用于滤波和增强 ESD 防护能力
  • 为避免 SOC启动时误进入升级状态，PA1/FEL0和 PA2/FEL1 不能同时接下拉电阻。
主晶振电路
  • R128 DCXO模块推荐使用 40M 晶振以获得更好的射频性能。
  • 晶振选型参考如下:
  • R128集成 WIFI/BT功能，为获得更好的射频性能，建议晶振选型频率容限与频率稳定性均≤ 10ppm
  • 晶体负载电容指标 CL，建议 CL≥10pF。CL过小会导致晶体温飘过大
  • 晶体驱动能力 DL，建议典型值 100uW，最大不超过 200uW。取值过小会影响晶体寿命。
  • 外挂匹配电容大小根据晶振规格和 PCB而定，要求匹配电容+板级杂散电容总值等于晶振规格要求的负载电容大小。
  • 串接电阻需要预留位置，便于调试振荡幅度处理 EMI 问题。

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晶振参数不得随意更改，需保证晶体自身负载电容、外挂匹配电容、PCB走线负载电容三者匹配。

32.768K时钟电路
  • 支持内部 RCOSC时钟，支持 HOSC校准，满足 32.768K时钟输出。
  • 外挂 32.768K 晶振时，外挂匹配电容大小根据晶振规格和 PCB而定，要求匹配电容+板级杂散电容总值等于晶振规格要求的负载电容大小。
  • LXTAL_IN/LXTAL_OUT 之间并接的电阻，必须保留，用于对频率微调。

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晶振参数不得随意更改，需保证晶体自身负载电容、外挂匹配电容、PCB走线负载电容三者匹配。

复位电路设计

R128可以选择使用外部复位 IC提供复位信号，也可以使用内部复位源。

  • 内部上电复位触发门槛：VBAT爬升至约 2.4V；
  • 内部下电复位触发门槛：VBAT跌落至 3.0V/2.9V/2.8V/2.7V/2.6V/2.5V(软件可配置)，详见 R128用户手册；
  • 使用外部复位 IC 复位，时长不得低于 64ms；
  • RESET Pin放置 1nF电容。

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DEBUG电路设计

R128支持 USB（OTG）、UART、JTAG与 SWD 等多种调试方式，客户可根据需要选择合适的调试方式，建议在设计时对相应的调试接口预留测试点方便后续调试验证。

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电源系统设计

SOC端电源质量要求

R128集成 PMU，外部仅需提供 VBAT 电源即可满足 R128 电源应用需求，其他电源由内部 PMU 产生。

SOC端电源电容设计

R128 SOC端各电源要求滤波电容容值如下：

  • VDD_LX管脚建议预留放置 1个 2.2uF电容；

  • VDD_SENSE管脚建议放置 1个 4.7uF电容；

  • VDD_CLK、VDD18_ANA1、VDD18_TX1、VDD18_ANA2、VDD18_TX2电源 pin建议各放置 1个 100nF电容，靠近管脚放置；

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  • VDD_DSP建议放置 1个 1uF电容，靠近管脚放置；

  • VDD_RTC建议放置 1个 1uF电容，靠近管脚放置；

  • VDD_SYS1、VDD_SYS2建议各放置 1 个 1uF电容，靠近管脚放置；

  • VDD_AON建议放置 1个 1uF电容，VDD12_PSM 建议放置 1 个 100nF 电容，靠近管脚放置；

  • VDD_3V3建议放置 1个 1uF电容， VDD33_LB1、VDD33_LB2 建议各放置 1 个 100nF 电容，靠近管脚放置；

  • VDD_IO1、VDD_IO2、VDD_IO_5VTOL建议各放置 1 个 100nF 电容，靠近管脚放置；

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  • AVDD电源与 AGND之间至少 1个 2.2uF电容，靠近引脚放置。
上电时序设计

R128各模块供电采用内部 PMU，其上电时序如图所示，时序描述如下：

  • VBAT为 SOC外部电源输入，其上电至 2.4V附近触发内部 POR复位；
  • 完成 POR 复位后，PMU各路 DCDC、LDO按照下图所示时序进行上电；

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当使用外部 DCDC 或 LDO为 R128 的 VDD_IO1、VDD_IO2和 VDD_IO_5VTOL进行供电时，为避免电源从 IO漏电导致 SOC启动失败，建议使用 EXT_LDO（pin VDD_3V3）对外部 DCDC或 LDO 进行时序控制。

下电时序设计

R128下电时序如图所示，时序描述如下：

  • R128内部集成掉电复位功能，通过检测 VBAT电压触发复位，可软件使能掉电复位功能和配置门槛电压，详见 R128 用户手册描述；
  • 复位信号拉低后，DXCO、RCOSC停止振荡，各路 DCDC、LDO停止输出。

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PSRAM 电路设计

R128内置 PSRAM，无需外部电路，只需满足 R128 电源设计要求即可。

Flash 电路设计

R128支持合封 SPI Nor FLSAH，支持外挂 SPI Nand/Nor、eMMC，设计说明如下：

  • 使用合封 SPI Nor FLASH 时，VDD-IO1必须使用 3.3V电源；
  • 使用外挂 SPI Nand/Nor、eMMC 器件时，可选择从 PA24-PA29、PB4-PB7&PB14/15、PA2-PA7 三个地方启动；
  • 启动介质选择支持 Try 与 eFuse Select 两种方式；
  • Try 方式启动顺序为 SDC0->SPI NOR->SPI NAND->EMMC，该模式仅支持轮询 PA 口的启动介质
  • eFuse Select方式启动顺序由 eFuse决定，具体启动顺序及烧码值可定制
SPI NOR/NAND 参考设计

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GPIO 电路设计

R128 有PA/PB 2 组GPIO,GPIO 逻辑电平与供电电压有关。

  • 未使用的GPIO 优先建议接地或者Floating，软件设定为disabled 状态；
  • IO 上拉电阻上拉电压选择IO 所在电源域。
GPIO 分组控制器电源域IO电源域IO电压
PA0~PA14VDD-SYSVDD-IO23.3V/1.8V
PA18~PA23VDD-SYSVDD-IO23.3V/1.8V
PA16~PA17VDD-SYSVDD-IO-5VTOL5V/3.3V/1.8V
PA15VDD-SYSVDD-IO13.3V/1.8V
PA24~PA29VDD-SYSVDD-IO13.3V/1.8V
PB0~PB15VDD-SYSVDD-IO13.3V/1.8V

LED电路设计

R128集成 LEDC功能，可以直接驱动集成式 LED。

集成式 LED一般供电范围是 3.5～5.3V，Vih必须大于 0.7*VDD，如 WS2812C。当 VDD为 5V供电时，Vih必须大于 3.5V，已超出 SOC IO输出电压范围。解决方案：

  • 5V供电串联 1N4148二极管，降低 VDD电压，理论 VDD电压为 4.3V，此时 Vih 大于 3V 即可；
  • 市场已有 5V 供电且支持 3.3V逻辑控制的集成式 LED，如 WS2128B-V4/V5。

USB电路设计

R128 USB接口具有 HOST和 OTG功能，在产品功能定义上需要注意区别。

  • 若使用 Micro USB 供电，建议在 VBUS上放置限流和防倒灌 IC、TVS 保护器件；
  • USB-ID 信号为 OTG 检测信号，上拉电压选择 USB-ID Pin所在电源域；
  • USB-ID 信号到 SOC端的 GPIO 串接 1K~1.5K电阻提升 ESD性能；
  • 建议在 VBUS 上放置稳压管和 TVS保护器件；
  • D+/D-信号线为高速信号线，并接的 TVS 要求低容值，否则影响数据传输，以小于 4pF 为宜；串接预留 5 电阻。

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SD Card 电路设计

  • SDC0-CLK串接 33R电阻，靠近 SoC摆放；
  • SDC0-CMD和 SDC0-DET Pin芯片内部集成 15K上拉电阻，外部 10K上拉默认 NC；
  • SDC0-DET串接 1K电阻，减缓信号下冲和提供 IO ESD能力；
  • 靠近 SD 卡座，每个信号 Pin放置 ESD器件。
  • SD卡座电源 VDD预留串联 0R电阻，防止卡插入时，瞬间大电流烧卡。

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音频电路设计

  • 3个 ADC，可支持 3 个差分 MIC 输入；
  • 2个 DAC，R128-S1/S2可支持差分立体声输出，R128-S3可支持单声道差分音频输出；
  • 支持 1 套 I2S/PCM 接口，支持 TDM模式，支持主从模式；
  • 支持 OWA 输出，兼容 SPDIF 协议；
  • 支持 DMIC 8 声道输入。

音频设计建议如下：

  • AVDD对地电容为 2.2uF；VRA1对地电容为 470nF；VRA2对地电容为 470nF；MBIAS对地电容为 2.2uF；
  • AVDD/VRA1/VRA2的 AGND通过 0R电阻单点到 GND；

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  • MIC1-3建议组合成 2MIC+1AEC 电路；

MIC和 AEC参考设计如图所示。AEC 回路电阻电容参数与功放输出幅度和算法公司要求有关，参数以实际开发环境为准。

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硅MIC参考电路

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驻极体MIC参考电路

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ADC电路设计

支持 1 路 GPADC 接口，12bit采样分辨率，9bit采样精度，单通道最高采样率为 1MHz，最大支持 8 通道，可以用作按键功能或采集电池电压使用。

  • GPADC 量程范围为 0～2.5V，应用时建议使用 0.2～2.3V作为输入检测电平；
  • 按键按键分压电阻，请使用推荐的阻值，如 5 个按键以下，推荐使用 1%精度电阻。添加按键时保证按键按下后，ADC网络电压范围为 0~1.08V，最小间隔大于 200mV。

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LCD电路接口

R128 支持一路 RGB屏接口和一路 SPI屏接口。其中 RGB屏接口可支持并行 RGB666 模式（1024x768@60fps）、串行 RGB模式（800x480@60fps）和 i8080模式（800x480@60fps），各种模式下管脚功能描述如下表。

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SPI屏支持以下几种模式：

3 线 1 DATA3 线 2 DATA4线1 DATA4线2 DATA2 DATA Lane
DBI-CSXDBI-CSXDBI-CSXDBI-CSXDBI-CSX
//DBI-DCXDBI-DCX/
DBI-SCLKDBI-SCLKDBI-SCLKDBI-SCLKDBI-SCLK
DBI-SDADBI-SDODBI-SDADBI-SDODBI-SDA
/DBI-SDI/DBI-SDIWRX
DBI-TEDBI-TEDBI-TEDBI-TEDBI-TE
DBI接口与SPI1复用关系
SPIDBI
SPI1-CSDBI-CSX
SPI1-CLKDBI-SCLK
SPI1-MOSIDBI-SDO/SDA
SPI1-MISODBI-SDI(WRX)/TE/DC X
SPI1-HOLDDBI-DCX/WRX
SPI1-WPDBI-TE

CSI电路接口

PIN脚CSI接口说明DVP
PA18/PB0NCSI0-HSYNC摄像头行同步HSYNC
PA19/PB1NCSI0-VSYNC摄像头场同步VSYNC
PA20/PB14NCSI0-PCLK摄像头像素时钟PCLK
PA21/PB15NCSI0-MCLK摄像头主时钟MCLK
PA22NCSI0-D0Parallel CSI DataY2
PA23NCSI0-D1Parallel CSI DataY3
PA27NCSI0-D2Parallel CSI DataY4
PA26NCSI0-D3Parallel CSI DataY5
PA29NCSI0-D4Parallel CSI DataY6
PA25NCSI0-D5Parallel CSI DataY7
PA24NCSI0-D6Parallel CSI DataY8
PA28NCSI0-D7Parallel CSI DataY9

射频端口设计

射频输出端口（ANT pin）无需匹配电路，但可预留天线 PI 型匹配电路。如上图所示。为了方便天线PI型匹配电路调试，需在射频输出端口与天线间预留 0Ω电阻 WR1。如图所示。

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因 R128 芯片射频前端已设计滤波器用于射频认证时滤除谐波杂散，因此，硬件方案端只需要预留一个PI型匹配电路用于匹配天线，无需额外多预留一个 PI型滤波网络用于滤除谐波杂散。

原理图设计其他

  • I2C/TWI 最大支持 400Kbit/s 的传输速率，总线上加上拉电阻，推荐值为 2.0K~4.7K，上拉电源为对应 GPIO电源域，各设备地址不得有冲突；
  • GPIO分配时，请确保电平相匹配，上拉的电压域必须为此 GPIO的电源域，以防外设向 SOC漏电情况发生；
  • 串口调试电路 TX/RX 信号要加防倒灌电/隔离保护电路。可以选择 MOS管或二极管方案，二极管方案必须选择肖特基二极管。加工生产时为节约成本，MOS管和二极管隔离保护电路可以 NC，但板级至少要串接 100Ω电阻。

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