MT28EW01GABA1LPC-0SIT、MT28EW01GABA1HPC-0SIT 1Gbit并行NOR闪存器件具有较高的密度、就地执行 (XiP) 性能和架构灵活性，可满足汽车、消费类和移动产品的设计要求。该器件非常适合用于GPS/导航、汽车后视摄像头、手机、智能手机和电子阅读器。该器件还具有较宽的温度范围、经过验证的可靠性追踪记录，并可长期放置在严苛的工业环境中。

这些并行NOR闪存器件可以在页面模式下工作以直接从器件运行代码，从而最大限度缩短系统启动时间。因此，该器件非常适合用于高性能或过程密集型应用。该器件具有数据安全选项，非常适合用于在工业应用中长期使用。

器件规格：
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：1Gbit
存储器组织：128M x 8, 64M x 16
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：60ns
访问时间：95 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：64-LBGA
供应商器件封装：64-LBGA (11x13)
基本产品编号：MT28EW01

（1Gbit）MT28EW01GABA1LPC-0SIT、MT28EW01GABA1HPC-0SIT FLASH - NOR 存储器 明佳达

特性：
• 较低密度、低引脚数（串行）
• 简单易用
• 可靠的代码和数据存储
• 快速读取和随机访问时间
• 较高的耐用性和数据保持力

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