什么是 W25Q128 ？
W25Q128是一款由Winbond（威邦电子）公司生产的闪存存储器芯片，属于串行闪存系列。具体来说，W25Q128是一颗128Mb（兆位）容量的串行闪存芯片，其中"W"代表Winbond，"25"表示该系列产品的家族编号，"Q"表示是串行闪存，而"128"表示存储容量为128Mb。
以下是W25Q128的一些基本特性：
- 容量： 128Mb，即16MB（兆字节）。
- 接口： 串行外围接口（SPI）。
- 工作电压： 2.7V至3.6V。
- 时钟频率： 支持高达104MHz的串行时钟。
- 扇区结构： 分为若干个扇区，每个扇区可擦写和读取。
这种类型的闪存通常用于存储程序代码、数据以及其他需要在系统断电时保持的信息。SPI闪存广泛应用于嵌入式系统、单片机、存储卡、电子设备等领域，因为它具有高速、低功耗、易于集成等优点。
- Flash 是常用的用于储存数据的半导体器件，它具有容量大，可重复擦写、按“扇区/块”擦除、掉电后数据可继续保存的特性。
- Flash 是有一个物理特性：只能写 0 ，不能写 1 ，写 1 靠擦除。
- 不同类型的Flash存储器包括 NOR Flash 和 NAND Flash，它们在结构和应用方面有一些区别。 NOR Flash 通常用于存储代码，而 NAND Flash 更适用于大容量数据存储。
W25Q128 存储架构
-
扇区（Sector）： W25Q128通常将存储空间划分为多个扇区，每个扇区的大小通常为4KB。每个扇区都有一个唯一的地址，可以单独进行擦写和擦除操作。
-
块（Block）： 扇区可以组合成块，具体块的大小可能是多个扇区的整数倍。擦写和擦除操作通常以块为单位执行。
-
页（Page）： 每个扇区通常分为多个页，每页的大小通常为256字节。写入操作通常以页为单位进行，即每次写入的数据不可超过一页的大小。
这种存储架构的分层设计使得存储器在擦写和擦除时可以更加灵活，而不必对整个存储器进行操作。这是为了减少擦写和擦除操作对存储器的寿命产生的影响，因为这两种操作通常是有限次数的。
一般按扇区（
4k
）进行擦除。
可以按 章
--
节
--
页
--
字 进行理解。
W25Q128
常用指令
W25Q128
全部指令非常多，但常用的如下几个指令：
写使能
(06H)
执行页写，扇区擦除，块擦除，片擦除，写状态寄存器等指令前，需要写使能。
拉低
CS
片选
→
发送
06H →
拉高
CS
片选
读状态寄存器（
05H
）
拉低
CS
片选
→
发送
05H→
返回
SR1
的值
→
拉高
CS
片选
读时序（
03H
）
拉低
CS
片选
→
发送
03H→
发送
24
位地址
→
读取数据（
1~n
）
→
拉高
CS
片选
页写时序
(02H)
页写命令最多可以向
FLASH
传输
256
个字节的数据。
拉低
CS
片选
→
发送
02H→
发送
24
位地址
→
发送数据（
1~n
）
→
拉高
CS
片选
扇区擦除时序（
20H
）
写入数据前，检查内存空间是否全部都是
0XFF
，不满足需擦除。
拉低
CS
片选
→
发送
20H→
发送
24
位地址
→
拉高
CS
片选
W25Q128 状态寄存器
W25Q128
一共有
3
个状态寄存器，它们的作用是跟踪芯片的状态。
其中，状态寄存器
1
较为常用。
BUSY
：指示当前的状态，
0
表示空闲，
1
表示忙碌
WEL
：写使能锁定，为
1
时，可以操作页
/
扇
区
/
块。为
0
时，写禁止。
W25Q128
常见操作流程
以下流程省略了拉低
/
拉高片选信号
CS
。
读操作：
擦除扇区：
写操作
![Python命名规范中的[单/双][前导/后缀]下划线小结](https://img-blog.csdnimg.cn/direct/0b1fe6bfecab457f8e7e199229d02625.png)
