我这个hal库底层是一次写一页，擦除也是以页为单位的。这个芯片太偏了，有点小恶心。

flash.c

uint8_t flash_read(uint32_t add)
{
    uint8_t temp;
    temp = *(__IO uint8_t *)(add);
    return temp;
}

void flash_read_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len)
{
    uint8_t i = 0;
    for (i = 0; i < len; i++)
    {
        data[i] = *(__IO uint8_t *)(add + i);
    }
}



HAL_StatusTypeDef flash_write_buf(uint32_t add, uint32_t *data)
{
    uint8_t i = 0;
		HAL_StatusTypeDef sat;
    FLASH_EraseInitTypeDef My_Flash;            //声明 FLASH_EraseInitTypeDef 结构体为 My_Flash
    HAL_FLASH_Unlock();                         //解锁Flash

    My_Flash.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGEERASE; //标明Flash执行页面只做擦除操作
    My_Flash.PageAddress = add;                 //声明要擦除的地址
    My_Flash.NbPages = 1;                       //说明要擦除的页数，此参数必须是Min_Data = 1和Max_Data =(最大页数-初始页的值)之间的值

    uint32_t PageError = 0;                     //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
    HAL_FLASHEx_Erase(&My_Flash, &PageError);   //调用擦除函数擦除


        /*对Flash进行烧写，FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD 声明操作的Flash地址的16位的，此外还有32位跟64位的操作，自行翻查HAL库的定义即可*/
    sat= HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_PAGE, add , &data[i]);
		if(sat!=HAL_OK)return sat;

    HAL_FLASH_Lock();    		//锁住Flash
		
		return sat;
}

flash.h

#ifndef FLASH_H_
#define FLASH_H_

#include "def.h"
#include "py32f072_hal_flash.h"
#define FLASH_end  	0x0801FE00 //最后一个扇区的最后一页

void test_flash(void);
HAL_StatusTypeDef flash_write_buf(uint32_t add, uint32_t *data); //写入数据
void flash_read_buf(uint32_t add, uint8_t *data, uint8_t len); //读取数据

#endif