Grey
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1847_MOSFET预驱以及作用
MOSFET预驱主要是提供MOSFET的开关驱动电路，关于这部分的电路作用，可以参考网络上的一个问题的讨论中一个回答。如下是对应的讨论链接：
MOSFET pre-driver
上面的讨论中，有一个值得去看一下的结论：
从这里看，预驱主要是提供三个功能：
- 提供更大的栅极电容，这个主要是为了保证开关的速度。至于为什么，后面另一份资料的分析中再看。
- 提供更大的栅极驱动电压，这个主要是针对单片机输出能力来说的。
- MOSFET的驱动过程中会有反向的电流冲击，预驱可以处理这样的一些情况。
主题由来介绍
我分析一些驱动芯片的软件特性的时候，很多地方的理解可能不到位，这样会导致初期的设计有一定的盲目性。如果带着这样的信息去做软件设计，也是很好的一种引导指点。也只有满篇的专业术语能够理解的时候，看手册里的语句段落才会顺畅。
资料选择
这一次的资料主要是为了辅助理解一个预驱的概念，因此只是找了一些网络上的信息。如下是对应的资料链接：
mosfet-prediver
简单浏览了一下，其实这个网站上的学习资料还是很多的。
要点细节分析
- 有时候，有些驱动芯片中会内置MOSFET。
- 采用预驱是为了获得更大的栅极电容，这样会有更好的电流供电能力。而电流的大小是驱动开关速度的关键点。
- 上面是一个仿真电路，提供了几个对比的效果。
- 从仿真的结果看得出来，如果栅极增加更大的电容限制电流的能力，会导致MOSFET开关速度变慢。同时，也会导致MOSFET的功耗变大。
- 预驱IC，可以提供更大的电流，保证开启关闭速度的同时会降低MOSFET的功耗，减少热量的产生。
- 从上面的仿真效果，也可以看得出来MOSFET开关过程之中的反向电流的存在。
- 我觉得这个是很值得去注意的一点，如果采用CPLD来做预驱的方案的时候需要考虑增加电流的提升方案设计。
- 之前这方面了解并不多，以为CPLD可以实现完整的预驱IC，现在看来理解有偏差。
- 首先需要注意的一点，按照这里的说明：NMOS是可以吸收电流的，而PMOS是可以提供电流的。
- 在实现高边的驱动的时候，通常会考虑采用两个NMOS的方案以实现对高电流、高电压的负载的驱动。
- 这里的第一个结论可能不是针对例子中的芯片，似乎是一个较为常见的做法。实现这一类预驱IC的驱动能力，Vb以及Vs之间的电容选择比较重要。选择合适的电容之后oui，配合IC中的电路，HO会产生一个高处Vs 10~20V的电压。自然这个数值在其他的IC中应该也是不同的。
- 高边驱动的控制主要还是靠控制上面的NMOS，下面的NMOS如果单独针对高边来说不一定必要。不过，有的驱动负载是推挽型的驱动负载，就需要类似的设计。此外，如果有类似的设计，可以通过控制HO以及LO实现一个完全的死区功能。
小结
以上就是一个简单的MOSFET预驱的学习整理，现在基本上算是有一定的概念了。之前的文档中第一页就遇到了这样的术语，因此做了一个扩展性的学习，现在得回去继续看之前的资料了。
