芯片设计—低功耗isolation cell

(一)低功耗isolation cell的目的

低功耗架构设计需要前后端拉通规划,前端设计有PMU功耗管理单元,比如A模块电压常开,B模块电压可关断,那么请思考,当B模块关断电压后,B模块输出到A模块的信号是怎样的驱动力?会造成什么结果?

后果1:

假如电源的工作电源为1.2V,当B模块关断电压后,B模块输出到A模块的信号(X态)可能为0~1.2V中任意电压,如果X处在中间电平0.6V,若这个信号送给电压常开域中的一个反相器,就会导致这个反相器的PMOS和NMOS都导通,就会存在一个短路电流从电源流经PMOS、NMOS再到地,造成功耗浪费。

后果2:

假如电源的工作电源为0~1.2V,那么X态信号可能随着温度、电压等环境因素改变而震荡,导致常开电压模块的逻辑功能出现不可预知的错误,甚至引起系统宕机,造成芯片功能的不可靠,芯片上到汽车、飞机上去后,不堪设想。

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 因此,当A模块电压常开,B模块电压可关断,在B模块关断电压后,B模块输出到A模块的信号需要用isolation cell进行电压钳位(clamp 0或者clamp 1信号),这样就避免了X态的传播。

也就是说Isolation cell连接的两端分别是power gated domian和always_on_domain,Isolation_cell的作用就是将power gated domian输出到always on domain的信号隔离,以防止power gated domian电源关闭后输入到always on domian的信号出现不确定状态(如X态等)。

(二)低功耗isolation cell的类型

isolation cell一般有sink side、source side两种类型。

什么是sink side?

即isolation cell放置于常开电压域PD_ON,只需要一组电源,推荐使用这种类型,较为简洁。

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什么是source side?

即isolation cell放置在power gated domain(PD_SHUT)里面,但是需要接常开电源(VDDG)供电,保证power gated domain(PD_SHUT)的电压关闭后,isolation仍能输出clamp值。这种情况下,isolation cell一般得有两组电源,分别是primary power(VDD)和 backup power(VDDG),当VDD关断后,VDDG就供电,否则isolation谁来供电输出clamp值呢。

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isolation cell的结构(下图为source side isolation类型):

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(三)低功耗isolation cell的结构

上面介绍了模块电压关闭之后,其输出需要isolation cell进行钳位的原因,以及isolation cell的两种类型及两组电源的需求,通常isolation cell和Level Shifter一起连用,AND和OR门都可以组成一个isolation cell;

1. AND类型:输出iso成0;

2. OR类型:输出iso成1;

首先看AND类型,EN有效时(置0),输出Y(isolation)=0,请思考下图的类型是source类型还是sink类型?

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展开与门电路结构如下图右边部分,请思考,下图Y输出是否和上图一致?ISO_EN是高有效还是低有效?想通了就很有趣!

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isolation实现clampe_0功能

然后我们看OR或门类型:ENB有效,Y就被钳位为1。

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或门展开电路如下图右边部分,请思考下图ISO_EN是1有效吗?管子是如何工作才能钳位输出?钳位输出是1吗?是不是很有趣!

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综上,通常Isolation cell和Level Shifter一起连用,AND和OR门都可以组成一个isolation cell。Isolation可以放在input端,output端或者第三方Voltage Area中,但是考虑到power-on rail的走线,isolation cell自身的功耗,一般还是放在input端比较好,因为放在input端不需要always-on的power。

(四)低功耗isolation cell的UPF语法

set_isolation ISO0_PD_SHUT 指定isolation cell的添加rule,相当于前缀名称

-domain PD_SHUT 指定添加isolation cell的voltage area

-applies_to input 指定isolation cell在voltage area的input还是output

-diff_supply_only true 指定cell port上是否允许有其他supply

-loacation parent 指定isolation的放置位置,parent代表放在driver pin的父module

-isolation_signal PMU/iso_en 指定isolation cell的isolation 控制信号

-calmp_value 1 指定isolation cell的输出值

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  3. DTCM: 64KB

  4. 外设:MIPI/USB/HDMI/UART/I2C/QSPI

  5. 系统时钟:100MHz

  6. MIPI RX解码

  7. ISP图像处理

  8. HDMI接口

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(一)SoC前端课程,您将学会

  • 高速接口的Verilog设计实现

  • 图像算法及Verilog设计实现

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  • Lint、CDC检查及UVM验证

  • 后仿真

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(二)SoC中端课程,您将学会

  • DFT设计(芯片级)

  • Synthesis逻辑综合(芯片级)

  • 低功耗UPF设计、CLP技术

  • formal验证等技术

仅中端一门课程内容就抵得上其他培训机构的4-5门课程。

(三)SoC后端课程,您将学会

  • 布局布线(低功耗FF flow)

  • StarRC/QRC

  • STA/Tempus

  • 功耗分析

  • DRC/LVS设计

仅后端一门课程内容就抵得上其他培训机构的3-4门课程。

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图像处理的数据通路:

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景芯SoC的CRG设计:

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SoC一键式执行flow

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MIPI DPHY+CSI2解码

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数字电路中经典设计:多条通信数据Lane Merging设计实现

数字电路中经典设计:多条通信数据Lane Distribution实现

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UPF低功耗设计

全芯片UPF低功耗设计(含DFT设计)

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低功耗设计前,功耗为28.75W

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低功耗设计后,休眠时,功耗为21.45mW,降低7mW

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芯片的版图设计V1.0

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芯片的版图设计V2.0

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ISP图像处理

  •    dpc - 坏点校正

  •    blc - 黑电平校正 

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  •    bnr - 拜耳降噪

  •    dgain - 数字增益 

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  •    demosaic - 去马赛克

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  •    wb - 白平衡增益 

  •    ccm - 色彩校正矩阵 

  •    csc - 色彩空间转换 (基于整数优化的RGB2YUV转换公式)

  •    gamma - Gamma校正 (对亮度基于查表的Gamma校正)

  •    ee - 边缘增强

  •    stat_ae - 自动曝光统计 

  •    stat_awb - 自动白平衡统计

CNN图像识别

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支持手写数字的AI识别:

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仿真结果:仿真识别上图7、2、1、0、4、1、4、9

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前端设计目录

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中端设计目录

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后端设计目录

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