文章目录
- 1.晶体二极管的伏安特性
- 2.二极管的钳位电路（τ=RC，放电时间等于5τ）
- 3.晶体三极管
- 4.绝缘型FET场效应管（MOS管，4种，P/N沟道，增强型/耗尽型）
- CMOS和VMOS
- MOS管的特性曲线（转移特性和输出特性）
- 场效应管的主要参数
- 晶体三极管和MOS管的区别
- 5.放大电路
1.晶体二极管的伏安特性
晶体二极管的主要参数
2.二极管的钳位电路（τ=RC，放电时间等于5τ）
3.晶体三极管
输入特性指V（BE）和I（B）的关系，同时与V（CE）也相关
输出特性指V（CE）和I（C）的关系，同时与I（B）也相关
图片这里压降写错了
晶体三极管的主要参数
4.绝缘型FET场效应管（MOS管，4种，P/N沟道，增强型/耗尽型）
CMOS和VMOS
MOS管的特性曲线（转移特性和输出特性）
场效应管的主要参数
MOS管的话，肯定也是开关和放大。
开关就是用VGS来控制，当VGS>VT（2V）时打开，而且VDS只要稍微大一点，输出的电流是恒定的，这里不知道VDS的压降应该怎么考虑，是VD一个点，VS一个点，认为是断开的，个算个的吗？
放大就是让VDS是固定的，改变VGS的大小，来增大输出的电流，可视为恒流源。
晶体三极管和MOS管的区别
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5.放大电路
