1：436nm g-line

可以满足0.8-0.35 微米制程芯片的生产，对应设备有接触式和接近式光刻机。

2：365nm i-line

同样可以满足0.8~0.35微米制程芯片的生产。设备于上相同。

早期的光刻机采用接触式光刻，即掩模贴在硅片上进行光刻，容易产生污染，且掩模寿命较短。此后的接近式光刻机对接触式光刻机进行了改良， 通过气垫在掩模和硅片间产生细小空隙，掩模与硅片不再直接接触，但受气垫影响，成像的精度不高。

3：248nm KrF

工艺节点提升至350~180nm水平，在光刻工艺上也采用了扫描投影式光刻，即现在光刻机通用的，光源通过掩模， 经光学镜头调整和补偿后， 以扫描的方式在硅片上实现曝光。

4：193nm ArF

制程提升至65nm的水平。四代光刻机是目前使用广的光刻机，也是具有代表性的一代光刻机。

5：13.5nm EUV

1-4代光刻机使用的光源都属于深紫外光， 五代EUV光刻机使用的则是波长 13.5nm的紫外光。目前只有ASML有能力生产。

目前光刻机市场主要的光刻机供应商有荷兰的ASML、日本的NIKON和CANON，以及中国的上海微电子装备(SMEE)。

主营业务：提供维修服务

一、维修真空溅射镀膜设备、等离子清洗设备、真空贴合机、设备上的电控部件:射频电源、射频器、靶材电源、高压电源、微波电源、磁控溅射电源、中频电源、高频电源、远程等离子体源、霍尔离子源、脉冲电源、直流电源、氧化源电源、特种电源、匹配器、膜厚仪等。

二、维修仪器设备:试验机、检测仪、分析仪、光度计、镭射切割机、激光器等。

射频电源设备主要服务于太阳能光伏、PVD镀膜，半导体薄膜、离子注入、刻蚀，平板显示，光盘、光电子LED等制造工艺以及科研院校、研究所等设备的高压、直流、射频电源。主要包括高压电源HV PSU、射频电源RFG、匹配网络RF Match、直流电源DC POWER、微波发生器等，提供设备维修服务。