概述
存储器分类
按存储介质分类
第一个是易失的，后面三个是非易失的
按存取方式分类
按在计算机中的作用分类
RAM可读可写 ROM只读
存储器的层次结构
存储器的三个主要特性的关系
缓存-主存层次和主存-辅存层次
时间局部性就是cpu访问了一个数据，在不久的将来可能还会访问这个数据；
空间局部性就是cpu访问了一个数据，在不久的将来可能会访问和它相邻的数据
主存储器
概述
主存的基本组成
主存和CPU的联系
MAR和MDR都是集成在CPU上的，但是属于主存部分
主存中存储单元地址的分配
主存的技术指标
主存储器为半导体存储器为例，确切的说以d-RAM内存为例，
存储器的访问过程直接读取内容，而实际从虚拟内存的虚拟地址
转译到内存物理地址是额外的时间消耗
任何一种存储器，在读写操作后，总要有一段恢复内部状态的复原时间。
对于破坏性读出的存储器，存取周期往往比存取时间大得多，因为存储器中的信息读出后需要马上进行再生。
半导体存储芯片的简介
半导体存储芯片的基本结构
片选线就是芯片选择线
存储芯片片选线的作用
半导体芯片的译码驱动方式
线选法
地址译码器可以看成一个地址线，由地址线输入一个地址，该地址对应矩阵中的行数，数据就是
该行的八位数字
当存储容量很大时，比如1MB，就会有20个地址线，矩阵有2^20行数，会非常密集，不方便
改进：重合法
减少了线的条数
随机存取存储器（RAM）
静态RAM（SRAM）
静态RAM基本电路
就记住触发器可以储存数据就好
看不懂电路图，数电模电基础为零
动态RAM（DRAM）
写入也是如此，写选择线通电，T3下面的栅极有电，写数据线传入电流，可以通过T3处（两条横着的线可以通电），到达Cg，给它充电
两根竖线中较短的那根代表栅极（那有一块绝缘层。三极管中栅极那边有电流的时候，相当于形成通路，右边的两条线可以通电，但是电不会通过绝缘板到栅极）
例如，T4通电，VDD的电流可以通过T4代表的三极管，此时电流分为两条（读数据线上有电流，通向T2的数据线也有电流），若T2通电，电流继续流通到T1处
此时，Cg如果是高电平，T1通路打开，电流流向T1右下侧的线路，到达地线，被大量放电，所以此前电流的另一条分支，读数据线上没有了电流，信号变为0
动态RAM刷新
刷新与行地址有关
刷新你也可以理解为把数据读出来在原封不动写回去，主要是应为电子存在时间有限，超过一定周期电子会逃逸，就无法读出正确的数据。
集中刷新
集中刷新的问题： 死区这段时间是动态RAM不能用的时间
分散刷新
I/O读写穿插其中，无死区，但是芯片性能下降了
分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）
动态RAM和静态RAM的比较
